მეხსიერება

S26KL512SDABHN020

S26KL512SDABHN020

ნაწილი საფონდო: 4187

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
CY14V101QS-SE108XI

CY14V101QS-SE108XI

ნაწილი საფონდო: 5659

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8), საათის სიხშირე: 108MHz,

სასურველი
CY14MB064Q2A-SXIT

CY14MB064Q2A-SXIT

ნაწილი საფონდო: 3698

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), საათის სიხშირე: 40MHz,

სასურველი
S25FL129P0XBHI203

S25FL129P0XBHI203

ნაწილი საფონდო: 9343

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5µs, 3ms,

სასურველი
S29GL01GT12DHVV10

S29GL01GT12DHVV10

ნაწილი საფონდო: 5096

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
CY7C1425UV18-267BZI

CY7C1425UV18-267BZI

ნაწილი საფონდო: 7090

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, QDR II, მეხსიერების ზომა: 36Mb (4M x 9), საათის სიხშირე: 267MHz,

სასურველი
STK17TA8-RF25

STK17TA8-RF25

ნაწილი საფონდო: 6000

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
STK11C88-NF25

STK11C88-NF25

ნაწილი საფონდო: 5820

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
CY7C131E-15NXI

CY7C131E-15NXI

ნაწილი საფონდო: 3304

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Dual Port, Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 8Kb (1K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
CY7C1420UV18-300BZXC

CY7C1420UV18-300BZXC

ნაწილი საფონდო: 7257

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, DDR II, მეხსიერების ზომა: 36Mb (1M x 36), საათის სიხშირე: 300MHz,

სასურველი
CY7C1353S-100AXCT

CY7C1353S-100AXCT

ნაწილი საფონდო: 8138

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 4.5Mb (256K x 18), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
CY14B104N-BA25XCT

CY14B104N-BA25XCT

ნაწილი საფონდო: 5601

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
S29WS512PABBFW000

S29WS512PABBFW000

ნაწილი საფონდო: 4697

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
CY14B104N-ZS20XCT

CY14B104N-ZS20XCT

ნაწილი საფონდო: 5555

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
CY7C1041CV33-10BAXET

CY7C1041CV33-10BAXET

ნაწილი საფონდო: 4416

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
S26KL512SDABHN030

S26KL512SDABHN030

ნაწილი საფონდო: 4743

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
CYD02S36VA-167BBXC

CYD02S36VA-167BBXC

ნაწილი საფონდო: 4133

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Dual Port, Synchronous, მეხსიერების ზომა: 2Mb (64K x 36), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
FM25H20-G

FM25H20-G

ნაწილი საფონდო: 701

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FRAM, ტექნოლოგია: FRAM (Ferroelectric RAM), მეხსიერების ზომა: 2Mb (256K x 8), საათის სიხშირე: 40MHz,

სასურველი
S25FL129P0XMFV010

S25FL129P0XMFV010

ნაწილი საფონდო: 9681

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5µs, 3ms,

სასურველი
CY7C1518JV18-250BZC

CY7C1518JV18-250BZC

ნაწილი საფონდო: 6226

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, DDR II, მეხსიერების ზომა: 72Mb (4M x 18), საათის სიხშირე: 250MHz,

სასურველი
CY7C1612KV18-300BZC

CY7C1612KV18-300BZC

ნაწილი საფონდო: 4071

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, QDR II, მეხსიერების ზომა: 144Mb (8M x 18), საათის სიხშირე: 300MHz,

სასურველი
CY7C1471BV25-133BZXC

CY7C1471BV25-133BZXC

ნაწილი საფონდო: 4125

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 72Mb (2M x 36), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
CY7C136E-25NXC

CY7C136E-25NXC

ნაწილი საფონდო: 3328

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Dual Port, Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Kb (2K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
CY7C144E-55AXC

CY7C144E-55AXC

ნაწილი საფონდო: 3227

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Dual Port, Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
CY7C1423SV18-250BZC

CY7C1423SV18-250BZC

ნაწილი საფონდო: 7176

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, DDR II, მეხსიერების ზომა: 36Mb (2M x 18), საათის სიხშირე: 250MHz,

სასურველი
S25FL132K0XNFI011

S25FL132K0XNFI011

ნაწილი საფონდო: 74741

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 3ms,

სასურველი
S29WS064RABBHW000

S29WS064RABBHW000

ნაწილი საფონდო: 14866

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
CY7C1355S-133BGC

CY7C1355S-133BGC

ნაწილი საფონდო: 7010

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 9Mb (256K x 36), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
CY7C1354C-166AXI

CY7C1354C-166AXI

ნაწილი საფონდო: 5545

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 9Mb (256K x 36), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
CY14MB256J1-SXIT

CY14MB256J1-SXIT

ნაწილი საფონდო: 3653

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), საათის სიხშირე: 3.4MHz,

სასურველი
CY7C1305TV25-167BZXC

CY7C1305TV25-167BZXC

ნაწილი საფონდო: 9149

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, QDR, მეხსიერების ზომა: 18Mb (1M x 18), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
CY7C144E-15AXCT

CY7C144E-15AXCT

ნაწილი საფონდო: 3918

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Dual Port, Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
STK11C68-5K35M

STK11C68-5K35M

ნაწილი საფონდო: 5731

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 35ns,

სასურველი
S70FS01GSDSBHM213

S70FS01GSDSBHM213

ნაწილი საფონდო: 4620

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 80MHz,

სასურველი
S34MS01G204BHI013

S34MS01G204BHI013

ნაწილი საფონდო: 9552

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
STK14CA8-RF35I

STK14CA8-RF35I

ნაწილი საფონდო: 5871

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 35ns,

სასურველი