მეხსიერება

CY14B104LA-ZS20XIT

CY14B104LA-ZS20XIT

ნაწილი საფონდო: 2893

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
S29PL127J60TAI130

S29PL127J60TAI130

ნაწილი საფონდო: 5771

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128M (8M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
S29WS256N0SBFW012

S29WS256N0SBFW012

ნაწილი საფონდო: 226

სასურველი
S99-50031

S99-50031

ნაწილი საფონდო: 538

სასურველი
CY7C1061GE-10BV1XI

CY7C1061GE-10BV1XI

ნაწილი საფონდო: 2768

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
S70PL254J00BAWA30

S70PL254J00BAWA30

ნაწილი საფონდო: 6482

სასურველი
S29WS128N0PBAW013

S29WS128N0PBAW013

ნაწილი საფონდო: 9569

სასურველი
CY7C1061G30-10BVXIT

CY7C1061G30-10BVXIT

ნაწილი საფონდო: 2937

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
CY7C1361C-100AXE

CY7C1361C-100AXE

ნაწილი საფონდო: 2679

სასურველი
CY14B104NA-BA25I

CY14B104NA-BA25I

ნაწილი საფონდო: 122

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
S98WS768P0GFW0100B

S98WS768P0GFW0100B

ნაწილი საფონდო: 473

სასურველი
S99FL032A0LMFI001

S99FL032A0LMFI001

ნაწილი საფონდო: 639

სასურველი
S71PL032J08BAW0B0C

S71PL032J08BAW0B0C

ნაწილი საფონდო: 5803

სასურველი
S99PL127J0160

S99PL127J0160

ნაწილი საფონდო: 6348

სასურველი
CY7C1314KV18-300BZXC

CY7C1314KV18-300BZXC

ნაწილი საფონდო: 2771

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, QDR II, მეხსიერების ზომა: 18Mb (512K x 36), საათის სიხშირე: 300MHz,

სასურველი
CY14B104LA-ZS20XI

CY14B104LA-ZS20XI

ნაწილი საფონდო: 2728

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
S99AL032DU

S99AL032DU

ნაწილი საფონდო: 597

სასურველი
CY7C1370SV25-200AXC

CY7C1370SV25-200AXC

ნაწილი საფონდო: 2434

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (512K x 36), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
CY7C1069G-10ZSXI

CY7C1069G-10ZSXI

ნაწილი საფონდო: 2733

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
CY7C1061G-10ZSXIT

CY7C1061G-10ZSXIT

ნაწილი საფონდო: 2969

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
CY7C1061G-10BVXI

CY7C1061G-10BVXI

ნაწილი საფონდო: 2749

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
CY7C1061GE18-15BVJXIT

CY7C1061GE18-15BVJXIT

ნაწილი საფონდო: 2970

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
CY7C1069G30-10BVXIT

CY7C1069G30-10BVXIT

ნაწილი საფონდო: 2915

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
S4012001270B0C010

S4012001270B0C010

ნაწილი საფონდო: 236

სასურველი
VS2FL008A0LMAI001

VS2FL008A0LMAI001

ნაწილი საფონდო: 880

სასურველი
CY14B104NA-ZSP45XI

CY14B104NA-ZSP45XI

ნაწილი საფონდო: 2662

სასურველი
CY7C1370KV33-167BZXC

CY7C1370KV33-167BZXC

ნაწილი საფონდო: 3177

სასურველი
S29WS128N0PBFW012

S29WS128N0PBFW012

ნაწილი საფონდო: 120

სასურველი
S71PL064JA0BFW0Z0

S71PL064JA0BFW0Z0

ნაწილი საფონდო: 5909

სასურველი
S99PL127J0040

S99PL127J0040

ნაწილი საფონდო: 6318

სასურველი
S70PL254J00BFWA20G

S70PL254J00BFWA20G

ნაწილი საფონდო: 6542

სასურველი
S29PL032J60BFI120A

S29PL032J60BFI120A

ნაწილი საფონდო: 6094

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (2M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
CY7C1061GE-10BVXIT

CY7C1061GE-10BVXIT

ნაწილი საფონდო: 2929

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
SX-3130-1658

SX-3130-1658

ნაწილი საფონდო: 5615

სასურველი
CY7C1061GE18-15BV1XI

CY7C1061GE18-15BV1XI

ნაწილი საფონდო: 2809

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
CY7C1061GE-10ZXIT

CY7C1061GE-10ZXIT

ნაწილი საფონდო: 2944

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი