მეხსიერება

CY7C1061G30-10BVXI

CY7C1061G30-10BVXI

ნაწილი საფონდო: 2761

სასურველი
CY7C1418KV18-333BZC

CY7C1418KV18-333BZC

ნაწილი საფონდო: 1705

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, DDR II, მეხსიერების ზომა: 36Mb (2M x 18), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
CY7C1315KV18-333BZC

CY7C1315KV18-333BZC

ნაწილი საფონდო: 1938

სასურველი
CY7C1414KV18-250BZXC

CY7C1414KV18-250BZXC

ნაწილი საფონდო: 1553

სასურველი
CY7C1412KV18-300BZXI

CY7C1412KV18-300BZXI

ნაწილი საფონდო: 1472

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, QDR II, მეხსიერების ზომა: 36Mb (2M x 18), საათის სიხშირე: 300MHz,

სასურველი
CY7C1248KV18-400BZXC

CY7C1248KV18-400BZXC

ნაწილი საფონდო: 1595

სასურველი
CY7C1170KV18-550BZC

CY7C1170KV18-550BZC

ნაწილი საფონდო: 1602

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, DDR II+, მეხსიერების ზომა: 18Mb (512K x 36), საათის სიხშირე: 550MHz,

სასურველი
CY7C128A-35PC

CY7C128A-35PC

ნაწილი საფონდო: 8468

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Kb (2K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 35ns,

სასურველი
CY7C199-35PC

CY7C199-35PC

ნაწილი საფონდო: 8639

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 35ns,

სასურველი
CY7C1444AV33-167AXC

CY7C1444AV33-167AXC

ნაწილი საფონდო: 1250

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 36Mb (1M x 36), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
CY7C1413KV18-250BZXC

CY7C1413KV18-250BZXC

ნაწილი საფონდო: 1521

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, QDR II, მეხსიერების ზომა: 36Mb (2M x 18), საათის სიხშირე: 250MHz,

სასურველი
CY7C1370D-250AXC

CY7C1370D-250AXC

ნაწილი საფონდო: 2433

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (512K x 36), საათის სიხშირე: 250MHz,

სასურველი
CY7C1168KV18-450BZXC

CY7C1168KV18-450BZXC

ნაწილი საფონდო: 1625

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, DDR II+, მეხსიერების ზომა: 18Mb (1M x 18), საათის სიხშირე: 450MHz,

სასურველი
CY7C1041CV33-20ZC

CY7C1041CV33-20ZC

ნაწილი საფონდო: 9685

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
CY7C1315KV18-333BZXC

CY7C1315KV18-333BZXC

ნაწილი საფონდო: 2531

სასურველი
CY7C1061G30-10ZSXI

CY7C1061G30-10ZSXI

ნაწილი საფონდო: 1598

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
CY7C109B-15ZC

CY7C109B-15ZC

ნაწილი საფონდო: 8384

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
CY14B104NA-ZS45XI

CY14B104NA-ZS45XI

ნაწილი საფონდო: 2161

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
CY7S1061GE30-10BVXIT

CY7S1061GE30-10BVXIT

ნაწილი საფონდო: 2243

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
CY62256LL-70ZC

CY62256LL-70ZC

ნაწილი საფონდო: 9918

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
CY62177EV18LL-70BAXI

CY62177EV18LL-70BAXI

ნაწილი საფონდო: 2317

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
CY7C1007D-10VXI

CY7C1007D-10VXI

ნაწილი საფონდო: 3611

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 1Mb (1M x 1), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
S29PL064J60BFI120A

S29PL064J60BFI120A

ნაწილი საფონდო: 6174

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64M (4M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
CY7C1385D-133AXI

CY7C1385D-133AXI

ნაწილი საფონდო: 2450

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (512K x 36), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
V29AL008D55TAIR10

V29AL008D55TAIR10

ნაწილი საფონდო: 797

სასურველი
CY7C1143KV18-400BZI

CY7C1143KV18-400BZI

ნაწილი საფონდო: 2349

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, QDR II+, მეხსიერების ზომა: 18Mb (1M x 18), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
CY7C1320KV18-250BZI

CY7C1320KV18-250BZI

ნაწილი საფონდო: 2326

სასურველი
CY7C1061GE18-15ZSXI

CY7C1061GE18-15ZSXI

ნაწილი საფონდო: 2725

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
S29WS128N0LBAW010

S29WS128N0LBAW010

ნაწილი საფონდო: 9940

სასურველი
CY7C1380D-167BZC

CY7C1380D-167BZC

ნაწილი საფონდო: 2534

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (512K x 36), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
S99GL064AU

S99GL064AU

ნაწილი საფონდო: 697

სასურველი
CY7C1012DV33-10BGXIT

CY7C1012DV33-10BGXIT

ნაწილი საფონდო: 2522

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 12Mb (512K x 24), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
S29PL032J60BAI120A

S29PL032J60BAI120A

ნაწილი საფონდო: 6013

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (2M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
S70GL02GS12FHB010

S70GL02GS12FHB010

ნაწილი საფონდო: 160

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Gb (128M x 16),

სასურველი
CY7C006A-20JC

CY7C006A-20JC

ნაწილი საფონდო: 2714

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Dual Port, Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 128Kb (16K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
CY7C1061G18-15BVJXI

CY7C1061G18-15BVJXI

ნაწილი საფონდო: 2777

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი