მეხსიერება

CY7C1069G-10BVXIT

CY7C1069G-10BVXIT

ნაწილი საფონდო: 2986

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
S39MS01GR25WPW009

S39MS01GR25WPW009

ნაწილი საფონდო: 192

სასურველი
S29PL064J60BFI120L

S29PL064J60BFI120L

ნაწილი საფონდო: 6189

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64M (4M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
CY7C1012AV33-8BGCT

CY7C1012AV33-8BGCT

ნაწილი საფონდო: 2580

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 12Mb (512K x 24), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ns,

სასურველი
CY7C1393KV18-333BZI

CY7C1393KV18-333BZI

ნაწილი საფონდო: 2542

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, DDR II, მეხსიერების ზომა: 18Mb (1M x 18), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
CY7C1061GE30-10BV1XI

CY7C1061GE30-10BV1XI

ნაწილი საფონდო: 2828

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
V29F010B-120PC

V29F010B-120PC

ნაწილი საფონდო: 879

სასურველი
CY7C1061GE-10ZXI

CY7C1061GE-10ZXI

ნაწილი საფონდო: 2436

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
S29PL127J60TDI130H

S29PL127J60TDI130H

ნაწილი საფონდო: 6233

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128M (8M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
S99PL127J0030A

S99PL127J0030A

ნაწილი საფონდო: 5968

სასურველი
QMP29GL064A90TFIR20

QMP29GL064A90TFIR20

ნაწილი საფონდო: 9500

სასურველი
S99PL064J0010

S99PL064J0010

ნაწილი საფონდო: 5970

სასურველი
S29PL064J60BAI120A

S29PL064J60BAI120A

ნაწილი საფონდო: 5720

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64M (4M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
S99LV065D

S99LV065D

ნაწილი საფონდო: 795

სასურველი
CY7C1318KV18-250BZXI

CY7C1318KV18-250BZXI

ნაწილი საფონდო: 2648

სასურველი
CY62177EV30LL-55BAXIT

CY62177EV30LL-55BAXIT

ნაწილი საფონდო: 2519

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
CY7C1373KV33-100AXC

CY7C1373KV33-100AXC

ნაწილი საფონდო: 2723

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (1M x 18), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
CY14B104NA-BA25IT

CY14B104NA-BA25IT

ნაწილი საფონდო: 127

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
CY7C1069G-10ZSXIT

CY7C1069G-10ZSXIT

ნაწილი საფონდო: 2994

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
CY7C1061G-10BV1XIT

CY7C1061G-10BV1XIT

ნაწილი საფონდო: 2927

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
V25FL032A0LMFI001

V25FL032A0LMFI001

ნაწილი საფონდო: 802

სასურველი
CY7C1370SV25-167AXC

CY7C1370SV25-167AXC

ნაწილი საფონდო: 2450

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (512K x 36), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
VM29DL800BT-120WBC

VM29DL800BT-120WBC

ნაწილი საფონდო: 874

სასურველი
CY14B104NA-BA45XE

CY14B104NA-BA45XE

ნაწილი საფონდო: 2631

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
S29PL127J60BAI000A

S29PL127J60BAI000A

ნაწილი საფონდო: 6258

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128M (8M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
CY7C1061GE18-15BVJXI

CY7C1061GE18-15BVJXI

ნაწილი საფონდო: 2838

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
CY7C1145KV18-400BZXCT

CY7C1145KV18-400BZXCT

ნაწილი საფონდო: 2492

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, QDR II+, მეხსიერების ზომა: 18Mb (512K x 36), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
CY7C1318KV18-250BZI

CY7C1318KV18-250BZI

ნაწილი საფონდო: 3411

სასურველი
CY7C1372DV25-167AXC

CY7C1372DV25-167AXC

ნაწილი საფონდო: 2556

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (1M x 18), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
CY7C1380KV33-167AXC

CY7C1380KV33-167AXC

ნაწილი საფონდო: 2540

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (512K x 36), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
CY7C1061GE18-15BVXIT

CY7C1061GE18-15BVXIT

ნაწილი საფონდო: 2966

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
S29PL032J60BFI123A

S29PL032J60BFI123A

ნაწილი საფონდო: 6081

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (2M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
CY7C1061G-10BV1XI

CY7C1061G-10BV1XI

ნაწილი საფონდო: 2778

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
CY7C1911KV18-250BZC

CY7C1911KV18-250BZC

ნაწილი საფონდო: 2705

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, QDR II, მეხსიერების ზომა: 18Mb (2M x 9), საათის სიხშირე: 250MHz,

სასურველი
CY7C1061GE30-10ZSXIT

CY7C1061GE30-10ZSXIT

ნაწილი საფონდო: 2920

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
VM29DL640H90WHI

VM29DL640H90WHI

ნაწილი საფონდო: 5120

სასურველი