მეხსიერება

CY7C1320KV18-250BZXI

CY7C1320KV18-250BZXI

ნაწილი საფონდო: 2322

სასურველი
CY7C1061GE18-15BVXI

CY7C1061GE18-15BVXI

ნაწილი საფონდო: 2842

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
S71PL127JB0BFWQB0G

S71PL127JB0BFWQB0G

ნაწილი საფონდო: 5940

სასურველი
S98WS512N0GFW0130G

S98WS512N0GFW0130G

ნაწილი საფონდო: 477

სასურველი
S29WS128N0PBFW010

S29WS128N0PBFW010

ნაწილი საფონდო: 68

სასურველი
CY7C1387KV33-167AXC

CY7C1387KV33-167AXC

ნაწილი საფონდო: 2876

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (1M x 18), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
CY7C1380KV33-200AXC

CY7C1380KV33-200AXC

ნაწილი საფონდო: 2540

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (512K x 36), საათის სიხშირე: 200MHz,

სასურველი
CY14V104NA-BA25XI

CY14V104NA-BA25XI

ნაწილი საფონდო: 4529

სასურველი
S70PL254J00BFWA20F

S70PL254J00BFWA20F

ნაწილი საფონდო: 6510

სასურველი
C08-0586-0001-0

C08-0586-0001-0

ნაწილი საფონდო: 5534

სასურველი
S29PL032J70BAI120A

S29PL032J70BAI120A

ნაწილი საფონდო: 6092

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (2M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
S70WS512N00BFWAB3

S70WS512N00BFWAB3

ნაწილი საფონდო: 421

სასურველი
CY7C1061GN18-15ZSXIT

CY7C1061GN18-15ZSXIT

ნაწილი საფონდო: 2942

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
CY7C1313KV18-250BZC

CY7C1313KV18-250BZC

ნაწილი საფონდო: 1621

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, QDR II, მეხსიერების ზომა: 18Mb (1M x 18), საათის სიხშირე: 250MHz,

სასურველი
CY7C1380KV33-167AXIT

CY7C1380KV33-167AXIT

ნაწილი საფონდო: 2685

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (512K x 36), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
CY7C1372KVE33-167AXI

CY7C1372KVE33-167AXI

ნაწილი საფონდო: 2513

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (1M x 18), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
S98WS512N0GFW0090

S98WS512N0GFW0090

ნაწილი საფონდო: 379

სასურველი
CY15B104Q-SXI

CY15B104Q-SXI

ნაწილი საფონდო: 2775

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FRAM, ტექნოლოგია: FRAM (Ferroelectric RAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), საათის სიხშირე: 40MHz,

სასურველი
CY7C1311KV18-250BZC

CY7C1311KV18-250BZC

ნაწილი საფონდო: 2714

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, QDR II, მეხსიერების ზომა: 18Mb (2M x 8), საათის სიხშირე: 250MHz,

სასურველი
V29F040B-150JC

V29F040B-150JC

ნაწილი საფონდო: 797

სასურველი
CY7C1372KV33-200AXC

CY7C1372KV33-200AXC

ნაწილი საფონდო: 2896

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (1M x 18), საათის სიხშირე: 200MHz,

სასურველი
CY7C1381KV33-100BZXI

CY7C1381KV33-100BZXI

ნაწილი საფონდო: 2453

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (512K x 36), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
S40125MM270B0S010

S40125MM270B0S010

ნაწილი საფონდო: 221

სასურველი
CY15B104Q-LHXI

CY15B104Q-LHXI

ნაწილი საფონდო: 2732

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FRAM, ტექნოლოგია: FRAM (Ferroelectric RAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), საათის სიხშირე: 40MHz,

სასურველი
P770040BFWC052 XF

P770040BFWC052 XF

ნაწილი საფონდო: 9741

სასურველი
CY7C1034DV33-10BGXIT

CY7C1034DV33-10BGXIT

ნაწილი საფონდო: 2925

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 6Mb (256K x 24), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
S40135MM270B0S020

S40135MM270B0S020

ნაწილი საფონდო: 286

სასურველი
CY7C1321KV18-250BZXC

CY7C1321KV18-250BZXC

ნაწილი საფონდო: 2682

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, DDR II, მეხსიერების ზომა: 18Mb (512K x 36), საათის სიხშირე: 250MHz,

სასურველი
CY7C1371KV33-100AXC

CY7C1371KV33-100AXC

ნაწილი საფონდო: 2553

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (512K x 36), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
S98WS512N0GFW0130

S98WS512N0GFW0130

ნაწილი საფონდო: 445

სასურველი
CY7C1061G18-15BVXI

CY7C1061G18-15BVXI

ნაწილი საფონდო: 2798

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
S29PL127J70TAI130D

S29PL127J70TAI130D

ნაწილი საფონდო: 6278

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128M (8M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
CY14B104NA-BA45XET

CY14B104NA-BA45XET

ნაწილი საფონდო: 2771

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
S99PL127J0090

S99PL127J0090

ნაწილი საფონდო: 6366

სასურველი
CY7C1051DV33-12ZSXI

CY7C1051DV33-12ZSXI

ნაწილი საფონდო: 2873

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 8Mb (512K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
CY14B101LA-SZ45XI

CY14B101LA-SZ45XI

ნაწილი საფონდო: 2727

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი