მეხსიერება

CY7C1383KV33-133AXI

CY7C1383KV33-133AXI

ნაწილი საფონდო: 2812

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (1M x 18), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
S99PL127J0250 P

S99PL127J0250 P

ნაწილი საფონდო: 6475

სასურველი
S70PL254J00BAWA20

S70PL254J00BAWA20

ნაწილი საფონდო: 6420

სასურველი
CY14B104NA-ZS25XIT

CY14B104NA-ZS25XIT

ნაწილი საფონდო: 2956

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
S29WS128N0LBFW013

S29WS128N0LBFW013

ნაწილი საფონდო: 10011

სასურველი
S70GL02GS12FHB020

S70GL02GS12FHB020

ნაწილი საფონდო: 179

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Gb (128M x 16),

სასურველი
CY7C1321KV18-250BZC

CY7C1321KV18-250BZC

ნაწილი საფონდო: 1624

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, DDR II, მეხსიერების ზომა: 18Mb (512K x 36), საათის სიხშირე: 250MHz,

სასურველი
S99PL064J0090

S99PL064J0090

ნაწილი საფონდო: 6234

სასურველი
CY7C1061G-10BVJXIT

CY7C1061G-10BVJXIT

ნაწილი საფონდო: 2972

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
CY14V101LA-BA25XI

CY14V101LA-BA25XI

ნაწილი საფონდო: 3034

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
S99GL512M0040

S99GL512M0040

ნაწილი საფონდო: 5123

სასურველი
S70WS512N00BAWAA2

S70WS512N00BAWAA2

ნაწილი საფონდო: 382

სასურველი
CY14B104M-ZSP45XI

CY14B104M-ZSP45XI

ნაწილი საფონდო: 2455

სასურველი
S71PL032J40BAW0K0

S71PL032J40BAW0K0

ნაწილი საფონდო: 5842

სასურველი
CY7C1370KV33-167AXC

CY7C1370KV33-167AXC

ნაწილი საფონდო: 2864

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (512K x 36), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
S71PL064JA0BAW0Z0A

S71PL064JA0BAW0Z0A

ნაწილი საფონდო: 4640

სასურველი
S70WS512N00BAWAA0

S70WS512N00BAWAA0

ნაწილი საფონდო: 361

სასურველი
CY7C1373KV33-133AXI

CY7C1373KV33-133AXI

ნაწილი საფონდო: 2805

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (1M x 18), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
CY7C1061GN30-10ZXIT

CY7C1061GN30-10ZXIT

ნაწილი საფონდო: 2935

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
CY7C1061GE18-15ZXI

CY7C1061GE18-15ZXI

ნაწილი საფონდო: 2368

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
CY7C1061G18-15BVXIT

CY7C1061G18-15BVXIT

ნაწილი საფონდო: 2921

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
S99PDL128G

S99PDL128G

ნაწილი საფონდო: 771

სასურველი
CY7C1381KV33-100AXC

CY7C1381KV33-100AXC

ნაწილი საფონდო: 2936

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (512K x 36), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
S29WS128N0LBAW013

S29WS128N0LBAW013

ნაწილი საფონდო: 9986

სასურველი
CY14B101KA-SP45XI

CY14B101KA-SP45XI

ნაწილი საფონდო: 2973

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
CY7C1061G18-15ZXI

CY7C1061G18-15ZXI

ნაწილი საფონდო: 2412

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
CY7C1392KV18-250BZXC

CY7C1392KV18-250BZXC

ნაწილი საფონდო: 2637

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, DDR II, მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8), საათის სიხშირე: 250MHz,

სასურველი
CY14B104NA-ZS20XIT

CY14B104NA-ZS20XIT

ნაწილი საფონდო: 2926

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
S99PL127J0100

S99PL127J0100

ნაწილი საფონდო: 6349

სასურველი
S70GL02GT11FHA010

S70GL02GT11FHA010

ნაწილი საფონდო: 2970

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

სასურველი
CY7C1061G30-10ZXIT

CY7C1061G30-10ZXIT

ნაწილი საფონდო: 2967

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
S71PL032J40BAW070B

S71PL032J40BAW070B

ნაწილი საფონდო: 5800

სასურველი
S99PL032J70BFI120

S99PL032J70BFI120

ნაწილი საფონდო: 5948

სასურველი
CY7C1061GN18-15ZSXI

CY7C1061GN18-15ZSXI

ნაწილი საფონდო: 2642

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
S29PL064J60BAI120

S29PL064J60BAI120

ნაწილი საფონდო: 5675

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64M (4M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
CY7C1059DV33-12ZSXQ

CY7C1059DV33-12ZSXQ

ნაწილი საფონდო: 75

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი