Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - IGBT - მოდულები

APTGT150H170G
Microsemi Corporation

APTGT150H170G

ნაწილი საფონდო: 495

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 250A, სიმძლავრე - მაქს: 890W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

სურვილისამებრ
APTGT400A120G
Microsemi Corporation

APTGT400A120G

ნაწილი საფონდო: 537

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 560A, სიმძლავრე - მაქს: 1785W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

სურვილისამებრ
APTCV40H60CT1G
Microsemi Corporation

APTCV40H60CT1G

ნაწილი საფონდო: 1640

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, სიმძლავრე - მაქს: 176W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTCV60HM45RT3G
Microsemi Corporation

APTCV60HM45RT3G

ნაწილი საფონდო: 1446

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGT300DA170G
Microsemi Corporation

APTGT300DA170G

ნაწილი საფონდო: 722

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 400A, სიმძლავრე - მაქს: 1660W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

სურვილისამებრ
APTGT75TDU60PG
Microsemi Corporation

APTGT75TDU60PG

ნაწილი საფონდო: 925

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Triple, Dual - Common Source, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

სურვილისამებრ
APTGT200H120G
Microsemi Corporation

APTGT200H120G

ნაწილი საფონდო: 464

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 280A, სიმძლავრე - მაქს: 890W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

სურვილისამებრ
APTGLQ100A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGLQ100A120T3AG

ნაწილი საფონდო: 797

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 185A, სიმძლავრე - მაქს: 650W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

სურვილისამებრ
APTGT50DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DDA120T3G

ნაწილი საფონდო: 1762

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Dual Boost Chopper, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 270W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGT100A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGT100A120T3AG

ნაწილი საფონდო: 1206

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 140A, სიმძლავრე - მაქს: 595W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

სურვილისამებრ
APT75GT120JU3
Microsemi Corporation

APT75GT120JU3

ნაწილი საფონდო: 2982

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, სიმძლავრე - მაქს: 416W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

სურვილისამებრ
APTGL180A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGL180A120T3AG

ნაწილი საფონდო: 1144

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 230A, სიმძლავრე - მაქს: 940W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A,

სურვილისამებრ
APTGL40H120T1G
Microsemi Corporation

APTGL40H120T1G

ნაწილი საფონდო: 1697

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 65A, სიმძლავრე - მაქს: 220W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

სურვილისამებრ
APTCV50H60T3G
Microsemi Corporation

APTCV50H60T3G

ნაწილი საფონდო: 1553

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, სიმძლავრე - მაქს: 176W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGT300A60D3G
Microsemi Corporation

APTGT300A60D3G

ნაწილი საფონდო: 831

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 400A, სიმძლავრე - მაქს: 940W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

სურვილისამებრ
APTGLQ100A120TG
Microsemi Corporation

APTGLQ100A120TG

ნაწილი საფონდო: 251

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 170A, სიმძლავრე - მაქს: 520W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 100A,

სურვილისამებრ
APTGT300TL60G
Microsemi Corporation

APTGT300TL60G

ნაწილი საფონდო: 570

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Level Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 400A, სიმძლავრე - მაქს: 935W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

სურვილისამებრ
APTGL325A120D3G
Microsemi Corporation

APTGL325A120D3G

ნაწილი საფონდო: 634

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 420A, სიმძლავრე - მაქს: 1500W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A,

სურვილისამებრ
APTGLQ50VDA65T3G
Microsemi Corporation

APTGLQ50VDA65T3G

ნაწილი საფონდო: 314

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Dual Boost Chopper, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 70A, სიმძლავრე - მაქს: 175W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGLQ50DDA65T3G
Microsemi Corporation

APTGLQ50DDA65T3G

ნაწილი საფონდო: 232

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Dual Boost Chopper, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 70A, სიმძლავრე - მაქს: 175W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGT600A60G
Microsemi Corporation

APTGT600A60G

ნაწილი საფონდო: 452

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 700A, სიმძლავრე - მაქს: 2300W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

სურვილისამებრ
APTGT20TL601G
Microsemi Corporation

APTGT20TL601G

ნაწილი საფონდო: 2340

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Level Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 32A, სიმძლავრე - მაქს: 62W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

სურვილისამებრ
APTGT150TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT150TA60PG

ნაწილი საფონდო: 689

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Phase, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 225A, სიმძლავრე - მაქს: 480W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

სურვილისამებრ
APTGT35A120T1G
Microsemi Corporation

APTGT35A120T1G

ნაწილი საფონდო: 2393

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 55A, სიმძლავრე - მაქს: 208W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

სურვილისამებრ
APTGT450SK60G
Microsemi Corporation

APTGT450SK60G

ნაწილი საფონდო: 807

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 550A, სიმძლავრე - მაქს: 1750W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

სურვილისამებრ
APTGT150TL60G
Microsemi Corporation

APTGT150TL60G

ნაწილი საფონდო: 901

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Level Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200A, სიმძლავრე - მაქს: 480W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

სურვილისამებრ
APTGT400SK120G
Microsemi Corporation

APTGT400SK120G

ნაწილი საფონდო: 766

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 560A, სიმძლავრე - მაქს: 1785W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

სურვილისამებრ
APTGL40X120T3G
Microsemi Corporation

APTGL40X120T3G

ნაწილი საფონდო: 1371

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Phase Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 65A, სიმძლავრე - მაქს: 220W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

სურვილისამებრ
APT40GL120JU2
Microsemi Corporation

APT40GL120JU2

ნაწილი საფონდო: 3667

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 65A, სიმძლავრე - მაქს: 220W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

სურვილისამებრ
APTGT150DH170G
Microsemi Corporation

APTGT150DH170G

ნაწილი საფონდო: 707

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 250A, სიმძლავრე - მაქს: 890W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

სურვილისამებრ
APTGT150DH120G
Microsemi Corporation

APTGT150DH120G

ნაწილი საფონდო: 790

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 220A, სიმძლავრე - მაქს: 690W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

სურვილისამებრ
APTGT50TDU170PG
Microsemi Corporation

APTGT50TDU170PG

ნაწილი საფონდო: 697

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Triple, Dual - Common Source, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 70A, სიმძლავრე - მაქს: 310W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APT35GT120JU2
Microsemi Corporation

APT35GT120JU2

ნაწილი საფონდო: 3790

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 55A, სიმძლავრე - მაქს: 260W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

სურვილისამებრ
APTGT50A170TG
Microsemi Corporation

APTGT50A170TG

ნაწილი საფონდო: 1356

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 312W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGT100BB60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100BB60T3G

ნაწილი საფონდო: 1239

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150A, სიმძლავრე - მაქს: 340W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

სურვილისამებრ
APTGT300A120D3G
Microsemi Corporation

APTGT300A120D3G

ნაწილი საფონდო: 570

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 440A, სიმძლავრე - მაქს: 1250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

სურვილისამებრ