Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - IGBT - მოდულები

APTGV50H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV50H60T3G

ნაწილი საფონდო: 530

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, სიმძლავრე - მაქს: 176W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGV75H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV75H60T3G

ნაწილი საფონდო: 491

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

სურვილისამებრ
APTGV50H60BG
Microsemi Corporation

APTGV50H60BG

ნაწილი საფონდო: 539

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Boost Chopper, Full Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, სიმძლავრე - მაქს: 176W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGV50H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV50H120T3G

ნაწილი საფონდო: 546

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 270W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGV30H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV30H60T3G

ნაწილი საფონდო: 476

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50A, სიმძლავრე - მაქს: 90W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

სურვილისამებრ
APTGV50H120BTPG
Microsemi Corporation

APTGV50H120BTPG

ნაწილი საფონდო: 466

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Boost Chopper, Full Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 270W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGV25H120BG
Microsemi Corporation

APTGV25H120BG

ნაწილი საფონდო: 528

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Boost Chopper, Full Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 40A, სიმძლავრე - მაქს: 156W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

სურვილისამებრ
APTGV25H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV25H120T3G

ნაწილი საფონდო: 540

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 40A, სიმძლავრე - მაქს: 156W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

სურვილისამებრ
APTGV100H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV100H60T3G

ნაწილი საფონდო: 546

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150A, სიმძლავრე - მაქს: 340W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

სურვილისამებრ
APTGV15H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV15H120T3G

ნაწილი საფონდო: 487

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25A, სიმძლავრე - მაქს: 115W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A,

სურვილისამებრ
APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT75TA60PG

ნაწილი საფონდო: 546

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Phase, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

სურვილისამებრ
APTGV100H60BTPG
Microsemi Corporation

APTGV100H60BTPG

ნაწილი საფონდო: 5307

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Boost Chopper, Full Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150A, სიმძლავრე - მაქს: 340W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

სურვილისამებრ
APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120T1G

ნაწილი საფონდო: 531

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 110A, სიმძლავრე - მაქს: 357W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

სურვილისამებრ
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120D1G

ნაწილი საფონდო: 541

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 110A, სიმძლავრე - მაქს: 357W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

სურვილისამებრ
APTGT75DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH60TG

ნაწილი საფონდო: 521

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

სურვილისამებრ
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT75DSK60T3G

ნაწილი საფონდო: 490

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Dual Buck Chopper, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

სურვილისამებრ
APTGT75DH120TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH120TG

ნაწილი საფონდო: 478

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 110A, სიმძლავრე - მაქს: 357W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

სურვილისამებრ
APTGT75DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170T1G

ნაწილი საფონდო: 540

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 130A, სიმძლავრე - მაქს: 465W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

სურვილისამებრ
APTGT75DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170D1G

ნაწილი საფონდო: 464

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 120A, სიმძლავრე - მაქს: 520W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

სურვილისამებრ
APTGT75DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120T1G

ნაწილი საფონდო: 555

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 110A, სიმძლავრე - მაქს: 357W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

სურვილისამებრ
APTGT75A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A170D1G

ნაწილი საფონდო: 545

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 120A, სიმძლავრე - მაქს: 520W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

სურვილისამებრ
APTGT75DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120D1G

ნაწილი საფონდო: 548

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 110A, სიმძლავრე - მაქს: 357W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

სურვილისამებრ
APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A120D1G

ნაწილი საფონდო: 526

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 110A, სიმძლავრე - მაქს: 357W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

სურვილისამებრ
APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation

APTGT580U60D4G

ნაწილი საფონდო: 526

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 760A, სიმძლავრე - მაქს: 1600W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 600A,

სურვილისამებრ
APTGT50TA170PG
Microsemi Corporation

APTGT50TA170PG

ნაწილი საფონდო: 482

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Phase, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 70A, სიმძლავრე - მაქს: 310W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50SK170D1G

ნაწილი საფონდო: 514

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 70A, სიმძლავრე - მაქს: 310W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation

APTGT50DU170TG

ნაწილი საფონდო: 476

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Dual, Common Source, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 312W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK60T3G

ნაწილი საფონდო: 541

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Dual Buck Chopper, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, სიმძლავრე - მაქს: 176W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGT50DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK120T3G

ნაწილი საფონდო: 552

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Dual Buck Chopper, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 270W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGT50DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT50DH60TG

ნაწილი საფონდო: 528

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, სიმძლავრე - მაქს: 176W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170T1G

ნაწილი საფონდო: 3071

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 312W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170D1G

ნაწილი საფონდო: 518

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 70A, სიმძლავრე - მაქს: 310W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA120D1G

ნაწილი საფონდო: 496

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 270W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A170D1G

ნაწილი საფონდო: 535

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 70A, სიმძლავრე - მაქს: 310W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT50A60T1G

ნაწილი საფონდო: 520

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, სიმძლავრე - მაქს: 176W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A120D1G

ნაწილი საფონდო: 494

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 270W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ