Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - IGBT - მოდულები

APTGLQ40DDA120CT3G
Microsemi Corporation

APTGLQ40DDA120CT3G

ნაწილი საფონდო: 1378

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Dual Boost Chopper, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

სურვილისამებრ
APT40GLQ120JCU2
Microsemi Corporation

APT40GLQ120JCU2

ნაწილი საფონდო: 1989

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, სიმძლავრე - მაქს: 312W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

სურვილისამებრ
APT25GLQ120JCU2
Microsemi Corporation

APT25GLQ120JCU2

ნაწილი საფონდო: 2465

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 45A, სიმძლავრე - მაქს: 170W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A,

სურვილისამებრ
APTGT150A1202G
Microsemi Corporation

APTGT150A1202G

ნაწილი საფონდო: 620

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 220A, სიმძლავრე - მაქს: 690W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

სურვილისამებრ
APTGT100A602G
Microsemi Corporation

APTGT100A602G

ნაწილი საფონდო: 595

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150A, სიმძლავრე - მაქს: 340W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

სურვილისამებრ
APTGT100DH60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100DH60T3G

ნაწილი საფონდო: 549

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150A, სიმძლავრე - მაქს: 340W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

სურვილისამებრ
APTGL90SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGL90SK120T1G

ნაწილი საფონდო: 602

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 110A, სიმძლავრე - მაქს: 385W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

სურვილისამებრ
APTGT100A1202G
Microsemi Corporation

APTGT100A1202G

ნაწილი საფონდო: 625

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 140A, სიმძლავრე - მაქს: 480W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

სურვილისამებრ
APTGL60DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DSK120T3G

ნაწილი საფონდო: 542

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Dual Buck Chopper, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, სიმძლავრე - მაქს: 280W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APT75GP120J
Microsemi Corporation

APT75GP120J

ნაწილი საფონდო: 1816

IGBT ტიპი: PT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 128A, სიმძლავრე - მაქს: 543W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

სურვილისამებრ
APTGL90DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGL90DH120T3G

ნაწილი საფონდო: 541

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 110A, სიმძლავრე - მაქს: 385W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A,

სურვილისამებრ
APTGF50DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DSK120T3G

ნაწილი საფონდო: 556

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Dual Buck Chopper, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 70A, სიმძლავრე - მაქს: 312W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGL60DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DH120T3G

ნაწილი საფონდო: 534

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, სიმძლავრე - მაქს: 280W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGF50DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DH120T3G

ნაწილი საფონდო: 607

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 70A, სიმძლავრე - მაქს: 312W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGF25H120T2G
Microsemi Corporation

APTGF25H120T2G

ნაწილი საფონდო: 579

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 40A, სიმძლავრე - მაქს: 208W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

სურვილისამებრ
APTGF100A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGF100A120T3AG

ნაწილი საფონდო: 542

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 130A, სიმძლავრე - მაქს: 780W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

სურვილისამებრ
APTGF150A60T3AG
Microsemi Corporation

APTGF150A60T3AG

ნაწილი საფონდო: 560

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 230A, სიმძლავრე - მაქს: 833W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

სურვილისამებრ
APTCV60HM70BT3G
Microsemi Corporation

APTCV60HM70BT3G

ნაწილი საფონდო: 5334

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Boost Chopper, Full Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTCV60HM70RT3G
Microsemi Corporation

APTCV60HM70RT3G

ნაწილი საფონდო: 574

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APT70GR120J
Microsemi Corporation

APT70GR120J

ნაწილი საფონდო: 2416

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 112A, სიმძლავრე - მაქს: 543W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A,

სურვილისამებრ
APT50GR120JD30
Microsemi Corporation

APT50GR120JD30

ნაწილი საფონდო: 2286

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 84A, სიმძლავრე - მაქს: 417W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APT200GN60J
Microsemi Corporation

APT200GN60J

ნაწილი საფონდო: 2197

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 283A, სიმძლავრე - მაქს: 682W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

სურვილისამებრ
APTGF50VDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50VDA120T3G

ნაწილი საფონდო: 578

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Dual Boost Chopper, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 70A, სიმძლავრე - მაქს: 312W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGF50VDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50VDA60T3G

ნაწილი საფონდო: 3071

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Dual Boost Chopper, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 65A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGF50H60T2G
Microsemi Corporation

APTGF50H60T2G

ნაწილი საფონდო: 594

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 65A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGF150A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGF150A120T3AG

ნაწილი საფონდო: 580

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 210A, სიმძლავრე - მაქს: 1041W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

სურვილისამებრ
APTGF100A1202G
Microsemi Corporation

APTGF100A1202G

ნაწილი საფონდო: 540

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 135A, სიმძლავრე - მაქს: 568W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

სურვილისამებრ
APTGF50DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DDA120T3G

ნაწილი საფონდო: 546

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Dual Boost Chopper, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 70A, სიმძლავრე - მაქს: 312W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGF90DH60T3G
Microsemi Corporation

APTGF90DH60T3G

ნაწილი საფონდო: 581

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 110A, სიმძლავრე - მაქს: 416W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

სურვილისამებრ
APTGF150A120T3WG
Microsemi Corporation

APTGF150A120T3WG

ნაწილი საფონდო: 600

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 210A, სიმძლავრე - მაქს: 961W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

სურვილისამებრ
APTGF50DH60T1G
Microsemi Corporation

APTGF50DH60T1G

ნაწილი საფონდო: 546

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 65A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGF50TL60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50TL60T3G

ნაწილი საფონდო: 585

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Three Level Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 65A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APTGF30TL601G
Microsemi Corporation

APTGF30TL601G

ნაწილი საფონდო: 3077

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Three Level Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 42A, სიმძლავრე - მაქს: 140W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

სურვილისამებრ
APTCV60TLM99T3G
Microsemi Corporation

APTCV60TLM99T3G

ნაწილი საფონდო: 609

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Level Inverter - IGBT, FET, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50A, სიმძლავრე - მაქს: 90W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

სურვილისამებრ
APTCV90TL12T3G
Microsemi Corporation

APTCV90TL12T3G

ნაწილი საფონდო: 524

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Level Inverter - IGBT, FET, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, სიმძლავრე - მაქს: 280W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ
APT150GN120JDQ4
Microsemi Corporation

APT150GN120JDQ4

ნაწილი საფონდო: 1322

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 215A, სიმძლავრე - მაქს: 625W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

სურვილისამებრ