ტრანზისტორები - IGBT - მოდულები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 65

APTGT50TL601G

ნაწილი საფონდო: 1364

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Level Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, სიმძლავრე - მაქს: 176W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGT100DU170TG

ნაწილი საფონდო: 857

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Dual, Common Source, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150A, სიმძლავრე - მაქს: 560W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT100GT120JU3

ნაწილი საფონდო: 2103

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 140A, სიმძლავრე - მაქს: 480W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGL180A1202G

ნაწილი საფონდო: 876

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 220A, სიმძლავრე - მაქს: 750W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGT200TL60G

ნაწილი საფონდო: 424

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Level Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 300A, სიმძლავრე - მაქს: 652W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGF150DU120TG

ნაწილი საფონდო: 79

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Dual, Common Source, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200A, სიმძლავრე - მაქს: 961W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGT300SK60D3G

ნაწილი საფონდო: 713

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 400A, სიმძლავრე - მაქს: 940W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGT400A60D3G

ნაწილი საფონდო: 530

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500A, სიმძლავრე - მაქს: 1250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGT300A60TG

ნაწილი საფონდო: 697

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 430A, სიმძლავრე - მაქს: 935W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGT300A170G

ნაწილი საფონდო: 353

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 400A, სიმძლავრე - მაქს: 1660W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGT50X60T3G

ნაწილი საფონდო: 1363

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Phase Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, სიმძლავრე - მაქს: 176W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT75GT120JRDQ3

ნაწილი საფონდო: 1870

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 97A, სიმძლავრე - მაქს: 480W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT50GF60JU2

ნაწილი საფონდო: 3168

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 277W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT150GT120JR

ნაწილი საფონდო: 1450

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 170A, სიმძლავრე - მაქს: 830W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT75GT120JU2

ნაწილი საფონდო: 2315

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, სიმძლავრე - მაქს: 416W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT65GP60J

ნაწილი საფონდო: 2051

IGBT ტიპი: PT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 130A, სიმძლავრე - მაქს: 431W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT35GP120J

ნაწილი საფონდო: 1978

IGBT ტიპი: PT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 64A, სიმძლავრე - მაქს: 284W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGT75TL60T3G

ნაწილი საფონდო: 1060

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Level Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGT600U120D4G

ნაწილი საფონდო: 398

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 900A, სიმძლავრე - მაქს: 2500W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT70GR120JD60

ნაწილი საფონდო: 1895

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 112A, სიმძლავრე - მაქს: 543W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGT100H60T3G

ნაწილი საფონდო: 1009

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150A, სიმძლავრე - მაქს: 340W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGT50H60T3G

ნაწილი საფონდო: 1227

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, სიმძლავრე - მაქს: 176W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGT50SK170T1G

ნაწილი საფონდო: 1368

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 312W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT45GP120J

ნაწილი საფონდო: 2085

IGBT ტიპი: PT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 329W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT46GA90JD40

ნაწილი საფონდო: 2422

IGBT ტიპი: PT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 900V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 87A, სიმძლავრე - მაქს: 284W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT80GP60J

ნაწილი საფონდო: 1872

IGBT ტიპი: PT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 151A, სიმძლავრე - მაქს: 462W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGT600U170D4G

ნაწილი საფონდო: 424

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1100A, სიმძლავრე - მაქს: 2900W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT150GN120J

ნაწილი საფონდო: 1837

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 215A, სიმძლავრე - მაქს: 625W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

სურვილისამებრ

STMicroelectronics

A1P35S12M3

ნაწილი საფონდო: 99

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Phase Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 35A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 35A,

სურვილისამებრ

STMicroelectronics

A2C35S12M3

ნაწილი საფონდო: 105

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Phase Inverter with Brake, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 35A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 35A,

სურვილისამებრ

STMicroelectronics

A2C25S12M3

ნაწილი საფონდო: 36

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Phase Inverter with Brake, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25A, სიმძლავრე - მაქს: 197W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 25A,

სურვილისამებრ

STMicroelectronics

A1P25S12M3

ნაწილი საფონდო: 116

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Phase Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25A, სიმძლავრე - მაქს: 197W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 25A,

სურვილისამებრ

STMicroelectronics

A1C15S12M3-F

ნაწილი საფონდო: 143

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Phase Inverter with Brake, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 15A, სიმძლავრე - მაქს: 142.8W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A,

სურვილისამებრ

STMicroelectronics

A2C25S12M3-F

ნაწილი საფონდო: 92

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Phase Inverter with Brake, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25A, სიმძლავრე - მაქს: 197W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 25A,

სურვილისამებრ

STMicroelectronics

A2C35S12M3-F

ნაწილი საფონდო: 132

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Phase Inverter with Brake, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 35A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 35A,

სურვილისამებრ

STMicroelectronics

A1P25S12M3-F

ნაწილი საფონდო: 182

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Phase Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25A, სიმძლავრე - მაქს: 197W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 25A,

სურვილისამებრ