ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას

UP0431NG0L

ნაწილი საფონდო: 111053

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

UP03397G0L

ნაწილი საფონდო: 191523

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, 30V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

XN0432200L

ნაწილი საფონდო: 1506

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V,

სურვილისამებრ

DMC961030R

ნაწილი საფონდო: 139815

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

XP0411400L

ნაწილი საფონდო: 1426

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

XN0111F00L

ნაწილი საფონდო: 114699

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

DMC261000R

ნაწილი საფონდო: 166517

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

XN0411400L

ნაწილი საფონდო: 1443

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

DMG564030R

ნაწილი საფონდო: 192107

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

XP0411100L

ნაწილი საფონდო: 1416

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

XP0121600L

ნაწილი საფონდო: 1464

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

XN0111900L

ნაწილი საფონდო: 1404

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 1 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

UP0411100L

ნაწილი საფონდო: 3148

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

MUN5333DW1T1G

ნაწილი საფონდო: 124275

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

MUN5114DW1T1

ნაწილი საფონდო: 1502

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

NSBC123JDXV6T1

ნაწილი საფონდო: 1414

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

NSBC124EPDXV6T1

ნაწილი საფონდო: 1455

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

NSBA143TDXV6T1

ნაწილი საფონდო: 1435

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

NSBC143TDXV6T1

ნაწილი საფონდო: 1400

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

RN1605TE85LF

ნაწილი საფონდო: 170733

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

RN1701JE(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 13233

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

RN2601(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 9992

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

RN2964FE(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 1469

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

RN4911(T5L,F,T)

ნაწილი საფონდო: 1556

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

სურვილისამებრ

RN2904FE(T5L,F,T)

ნაწილი საფონდო: 1469

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

RN4901,LF

ნაწილი საფონდო: 1493

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ