ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას

UP04210G0L

ნაწილი საფონდო: 1485

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

XP0421400L

ნაწილი საფონდო: 1409

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

XP0121M00L

ნაწილი საფონდო: 3225

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

DMG264120R

ნაწილი საფონდო: 132052

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V,

სურვილისამებრ

XN0A31200L

ნაწილი საფონდო: 1435

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

UP0421600L

ნაწილი საფონდო: 1470

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

XN0121300L

ნაწილი საფონდო: 1399

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

UP0421000L

ნაწილი საფონდო: 1476

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

XN0431100L

ნაწილი საფონდო: 1396

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

DMG264010R

ნაწილი საფონდო: 111444

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

DMC561050R

ნაწილი საფონდო: 101821

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

MUN5236DW1T1G

ნაწილი საფონდო: 90859

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 100 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 100 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

MUN5112DW1T1G

ნაწილი საფონდო: 58075

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

NSBC123TDP6T5G

ნაწილი საფონდო: 120018

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

NSTB1003DXV5T1G

ნაწილი საფონდო: 1527

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual),

სურვილისამებრ

EMA6DXV5T5G

ნაწილი საფონდო: 1485

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

NSBC114EPDXV6T1G

ნაწილი საფონდო: 138112

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

MUN5114DW1T1G

ნაწილი საფონდო: 128956

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

UMA4NT1

ნაწილი საფონდო: 1408

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

NSBA143ZDXV6T1

ნაწილი საფონდო: 1412

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

SMUN5312DW1T1G

ნაწილი საფონდო: 126786

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

DCX114YH-7

ნაწილი საფონდო: 104176

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

DCX100NS-7

ნაწილი საფონდო: 1443

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, 1 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 33 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

UMC5NQ-7

ნაწილი საფონდო: 214

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

DDC144EH-7

ნაწილი საფონდო: 172395

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

NXP USA Inc.

PBLS1503V,115

ნაწილი საფონდო: 1388

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, 15V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V,

სურვილისამებრ

PUMB1/DG/B3,115

ნაწილი საფონდო: 1486

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

PUMH7,115

ნაწილი საფონდო: 182288

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

სურვილისამებრ

PRMH13Z

ნაწილი საფონდო: 199165

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ