ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას

EMF5XV6T5G

ნაწილი საფონდო: 186407

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, 12V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V,

სურვილისამებრ

NSBC124EDXV6T1G

ნაწილი საფონდო: 192037

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

NSBC124EDXV6T1

ნაწილი საფონდო: 1432

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

NSBC115TDP6T5G

ნაწილი საფონდო: 145523

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 100 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

NSVMUN5135DW1T1G

ნაწილი საფონდო: 164885

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

NUS2401SNT1

ნაწილი საფონდო: 1477

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 175 Ohms, 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms,

სურვილისამებრ

MUN5213DW1T1G

ნაწილი საფონდო: 182836

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

NSBC114EDP6T5G

ნაწილი საფონდო: 114384

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

NSVB144EPDXV6T1G

ნაწილი საფონდო: 165773

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

NSBA124EDXV6T5G

ნაწილი საფონდო: 1529

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

NSBC143TPDXV6T1

ნაწილი საფონდო: 1497

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

NUS2401SNT1G

ნაწილი საფონდო: 172039

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 175 Ohms, 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 175 Ohms, 10 kOhms,

სურვილისამებრ

NSM11156DW6T1G

ნაწილი საფონდო: 3218

ტრანზისტორის ტიპი: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, 65V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

NSBA143EDXV6T1

ნაწილი საფონდო: 1482

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

Nexperia USA Inc.

PUMH2/DG/B3,115

ნაწილი საფონდო: 3195

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

Nexperia USA Inc.

PEMH11,115

ნაწილი საფონდო: 199221

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

Nexperia USA Inc.

PUMH11F

ნაწილი საფონდო: 130392

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

Rohm Semiconductor

UMA6NTR

ნაწილი საფონდო: 189115

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

სურვილისამებრ

RN4910(T5L,F,T)

ნაწილი საფონდო: 1539

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1506(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 128569

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

UP0439000L

ნაწილი საფონდო: 1421

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

UP04214G0L

ნაწილი საფონდო: 196636

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

XN0421100L

ნაწილი საფონდო: 1439

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

XP0421000L

ნაწილი საფონდო: 1394

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

XP0421100L

ნაწილი საფონდო: 158668

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

NP0G3A300A

ნაწილი საფონდო: 1421

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

DMG564040R

ნაწილი საფონდო: 166932

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

XN0221100L

ნაწილი საფონდო: 3164

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

UP04314G0L

ნაწილი საფონდო: 151147

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

DCX143ZU-13R-F

ნაწილი საფონდო: 175

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

DCX114EK-7-F

ნაწილი საფონდო: 107174

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

DDC114EH-7

ნაწილი საფონდო: 186534

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

DCX124EU-7

ნაწილი საფონდო: 1467

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

DDC124EH-7

ნაწილი საფონდო: 125586

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ