რეზისტორული ქსელები, მასივები

CRA04S08356K0JTD

CRA04S08356K0JTD

ნაწილი საფონდო: 180487

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S0833K30JTD

CRA04S0833K30JTD

ნაწილი საფონდო: 127003

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S08375R0JTD

CRA04S08375R0JTD

ნაწილი საფონდო: 178721

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083470KJTD

CRA04S083470KJTD

ნაწილი საფონდო: 179866

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S0832K40JTD

CRA04S0832K40JTD

ნაწილი საფონდო: 175474

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.4k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S0838K20JTD

CRA04S0838K20JTD

ნაწილი საფონდო: 195637

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S08318R0JTD

CRA04S08318R0JTD

ნაწილი საფონდო: 185116

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S0833K90JTD

CRA04S0833K90JTD

ნაწილი საფონდო: 146457

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083150KJTD

CRA04S083150KJTD

ნაწილი საფონდო: 116251

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S08347R0JTD

CRA04S08347R0JTD

ნაწილი საფონდო: 124509

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S0832K70JTD

CRA04S0832K70JTD

ნაწილი საფონდო: 167883

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083750KJTD

CRA04S083750KJTD

ნაწილი საფონდო: 140761

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 750k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S0836K80JTD

CRA04S0836K80JTD

ნაწილი საფონდო: 158493

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S08324K0JTD

CRA04S08324K0JTD

ნაწილი საფონდო: 128212

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 24k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S08375K0JTD

CRA04S08375K0JTD

ნაწილი საფონდო: 197944

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S08333K0JTD

CRA04S08333K0JTD

ნაწილი საფონდო: 107893

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S0831K80JTD

CRA04S0831K80JTD

ნაწილი საფონდო: 132168

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S0831K50JTD

CRA04S0831K50JTD

ნაწილი საფონდო: 145607

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S0833K60JTD

CRA04S0833K60JTD

ნაწილი საფონდო: 126523

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083120RJTD

CRA04S083120RJTD

ნაწილი საფონდო: 112525

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083620RJTD

CRA04S083620RJTD

ნაწილი საფონდო: 100669

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 620, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083560KJTD

CRA04S083560KJTD

ნაწილი საფონდო: 115271

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S0831K00JTD

CRA04S0831K00JTD

ნაწილი საფონდო: 103587

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S08313K0JTD

CRA04S08313K0JTD

ნაწილი საფონდო: 134766

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 13k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083270KJTD

CRA04S083270KJTD

ნაწილი საფონდო: 122005

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S08343R0JTD

CRA04S08343R0JTD

ნაწილი საფონდო: 195465

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S08382R0JTD

CRA04S08382R0JTD

ნაწილი საფონდო: 172446

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S08310K0JTD

CRA04S08310K0JTD

ნაწილი საფონდო: 191654

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083220KJTD

CRA04S083220KJTD

ნაწილი საფონდო: 169745

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S08382K0JTD

CRA04S08382K0JTD

ნაწილი საფონდო: 3923

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S08322R0JTD

CRA04S08322R0JTD

ნაწილი საფონდო: 154891

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083510RJTD

CRA04S083510RJTD

ნაწილი საფონდო: 131005

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083390RJTD

CRA04S083390RJTD

ნაწილი საფონდო: 191059

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S08330R0JTD

CRA04S08330R0JTD

ნაწილი საფონდო: 3820

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 30, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S0835K60JTD

CRA04S0835K60JTD

ნაწილი საფონდო: 152355

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083910KJTD

CRA04S083910KJTD

ნაწილი საფონდო: 187724

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 910k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი