რეზისტორული ქსელები, მასივები

CRA04S043680KJTD

CRA04S043680KJTD

ნაწილი საფონდო: 190298

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04333R0JTD

CRA04S04333R0JTD

ნაწილი საფონდო: 166455

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04313R0JTD

CRA04S04313R0JTD

ნაწილი საფონდო: 137379

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 13, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04313K0JTD

CRA04S04313K0JTD

ნაწილი საფონდო: 128478

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 13k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043680RJTD

CRA04S043680RJTD

ნაწილი საფონდო: 190529

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043910KJTD

CRA04S043910KJTD

ნაწილი საფონდო: 142535

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 910k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04375R0JTD

CRA04S04375R0JTD

ნაწილი საფონდო: 185752

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04316K0JTD

CRA04S04316K0JTD

ნაწილი საფონდო: 164965

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 16k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043110RJTD

CRA04S043110RJTD

ნაწილი საფონდო: 128671

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 110, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S0435K60JTD

CRA04S0435K60JTD

ნაწილი საფონდო: 110692

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04343R0JTD

CRA04S04343R0JTD

ნაწილი საფონდო: 154979

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043360RJTD

CRA04S043360RJTD

ნაწილი საფონდო: 139873

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 360, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04382R0JTD

CRA04S04382R0JTD

ნაწილი საფონდო: 198468

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043150KJTD

CRA04S043150KJTD

ნაწილი საფონდო: 153691

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043910RJTD

CRA04S043910RJTD

ნაწილი საფონდო: 170850

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 910, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043100KJTD

CRA04S043100KJTD

ნაწილი საფონდო: 143338

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043200KJTD

CRA04S043200KJTD

ნაწილი საფონდო: 166619

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043390KJTD

CRA04S043390KJTD

ნაწილი საფონდო: 106969

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S0432K70JTD

CRA04S0432K70JTD

ნაწილი საფონდო: 102385

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04311K0JTD

CRA04S04311K0JTD

ნაწილი საფონდო: 165580

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 11k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043510KJTD

CRA04S043510KJTD

ნაწილი საფონდო: 108190

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S0438K20JTD

CRA04S0438K20JTD

ნაწილი საფონდო: 131969

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S083160RJTD

CRA04S083160RJTD

ნაწილი საფონდო: 136820

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 160, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S08336R0JTD

CRA04S08336R0JTD

ნაწილი საფონდო: 110018

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S0835K10JTD

CRA04S0835K10JTD

ნაწილი საფონდო: 101639

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083110RJTD

CRA04S083110RJTD

ნაწილი საფონდო: 131140

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 110, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S0831K60JTD

CRA04S0831K60JTD

ნაწილი საფონდო: 126564

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083330RJTD

CRA04S083330RJTD

ნაწილი საფონდო: 167672

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S08362K0JTD

CRA04S08362K0JTD

ნაწილი საფონდო: 126299

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 62k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S08312R0JTD

CRA04S08312R0JTD

ნაწილი საფონდო: 149973

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S08327K0JTD

CRA04S08327K0JTD

ნაწილი საფონდო: 188899

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083820KJTD

CRA04S083820KJTD

ნაწილი საფონდო: 180499

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083820RJTD

CRA04S083820RJTD

ნაწილი საფონდო: 126267

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S0836K20JTD

CRA04S0836K20JTD

ნაწილი საფონდო: 153780

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S0832K20JTD

CRA04S0832K20JTD

ნაწილი საფონდო: 115216

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083130KJTD

CRA04S083130KJTD

ნაწილი საფონდო: 103819

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი