რეზისტორული ქსელები, მასივები

CRA04P083300RJTD

CRA04P083300RJTD

ნაწილი საფონდო: 162009

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04P08375K0JTD

CRA04P08375K0JTD

ნაწილი საფონდო: 129618

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA06S04316R0JTA

CRA06S04316R0JTA

ნაწილი საფონდო: 133956

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 16, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA06S0434K70JTA

CRA06S0434K70JTA

ნაწილი საფონდო: 142276

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04P08391R0JTD

CRA04P08391R0JTD

ნაწილი საფონდო: 185930

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 91, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA06P04312R0JTA

CRA06P04312R0JTA

ნაწილი საფონდო: 145877

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA06S043160KJTA

CRA06S043160KJTA

ნაწილი საფონდო: 177272

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 160k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA06P0836K20JTA

CRA06P0836K20JTA

ნაწილი საფონდო: 185885

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S043120KJTD

CRA04S043120KJTD

ნაწილი საფონდო: 165261

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S0433K30JTD

CRA04S0433K30JTD

ნაწილი საფონდო: 171529

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043300KJTD

CRA04S043300KJTD

ნაწილი საფონდო: 142225

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04375K0JTD

CRA04S04375K0JTD

ნაწილი საფონდო: 173425

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S0432K00JTD

CRA04S0432K00JTD

ნაწილი საფონდო: 116509

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S0431M00JTD

CRA04S0431M00JTD

ნაწილი საფონდო: 156169

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043750RJTD

CRA04S043750RJTD

ნაწილი საფონდო: 176808

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 750, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04336R0JTD

CRA04S04336R0JTD

ნაწილი საფონდო: 101543

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04351R0JTD

CRA04S04351R0JTD

ნაწილი საფონდო: 144766

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043430RJTD

CRA04S043430RJTD

ნაწილი საფონდო: 123103

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 430, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04347R0JTD

CRA04S04347R0JTD

ნაწილი საფონდო: 145926

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04312K0JTD

CRA04S04312K0JTD

ნაწილი საფონდო: 141593

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04315K0JTD

CRA04S04315K0JTD

ნაწილი საფონდო: 113336

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043270RJTD

CRA04S043270RJTD

ნაწილი საფონდო: 110957

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S0431K80JTD

CRA04S0431K80JTD

ნაწილი საფონდო: 172598

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S0434K30JTD

CRA04S0434K30JTD

ნაწილი საფონდო: 187871

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04330R0JTD

CRA04S04330R0JTD

ნაწილი საფონდო: 191348

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 30, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S0433K60JTD

CRA04S0433K60JTD

ნაწილი საფონდო: 192917

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04322R0JTD

CRA04S04322R0JTD

ნაწილი საფონდო: 198004

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04391K0JTD

CRA04S04391K0JTD

ნაწილი საფონდო: 125882

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 91k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043130KJTD

CRA04S043130KJTD

ნაწილი საფონდო: 113658

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043330KJTD

CRA04S043330KJTD

ნაწილი საფონდო: 178714

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043130RJTD

CRA04S043130RJTD

ნაწილი საფონდო: 170892

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043270KJTD

CRA04S043270KJTD

ნაწილი საფონდო: 155580

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S0432K40JTD

CRA04S0432K40JTD

ნაწილი საფონდო: 186598

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.4k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S0436K20JTD

CRA04S0436K20JTD

ნაწილი საფონდო: 160434

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04362K0JTD

CRA04S04362K0JTD

ნაწილი საფონდო: 157556

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 62k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04356R0JTD

CRA04S04356R0JTD

ნაწილი საფონდო: 116467

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი