რეზისტორული ქსელები, მასივები

CRA04S04324R0JTD

CRA04S04324R0JTD

ნაწილი საფონდო: 169084

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 24, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043240KJTD

CRA04S043240KJTD

ნაწილი საფონდო: 121609

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 240k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04318R0JTD

CRA04S04318R0JTD

ნაწილი საფონდო: 139556

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S0433K00JTD

CRA04S0433K00JTD

ნაწილი საფონდო: 116490

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043160KJTD

CRA04S043160KJTD

ნაწილი საფონდო: 108509

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 160k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04316R0JTD

CRA04S04316R0JTD

ნაწილი საფონდო: 159720

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 16, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043220KJTD

CRA04S043220KJTD

ნაწილი საფონდო: 141881

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04327K0JTD

CRA04S04327K0JTD

ნაწილი საფონდო: 133029

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043430KJTD

CRA04S043430KJTD

ნაწილი საფონდო: 112308

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 430k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043160RJTD

CRA04S043160RJTD

ნაწილი საფონდო: 106731

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 160, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043820RJTD

CRA04S043820RJTD

ნაწილი საფონდო: 175496

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04333K0JTD

CRA04S04333K0JTD

ნაწილი საფონდო: 101469

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S0434K70JTD

CRA04S0434K70JTD

ნაწილი საფონდო: 105620

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043360KJTD

CRA04S043360KJTD

ნაწილი საფონდო: 100071

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 360k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043100RJTD

CRA04S043100RJTD

ნაწილი საფონდო: 128428

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043470KJTD

CRA04S043470KJTD

ნაწილი საფონდო: 111668

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043110KJTD

CRA04S043110KJTD

ნაწილი საფონდო: 120869

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 110k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S0431K20JTD

CRA04S0431K20JTD

ნაწილი საფონდო: 133320

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043120RJTD

CRA04S043120RJTD

ნაწილი საფონდო: 148254

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04320K0JTD

CRA04S04320K0JTD

ნაწილი საფონდო: 113145

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S0433K90JTD

CRA04S0433K90JTD

ნაწილი საფონდო: 119035

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04336K0JTD

CRA04S04336K0JTD

ნაწილი საფონდო: 174818

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043150RJTD

CRA04S043150RJTD

ნაწილი საფონდო: 168893

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04343K0JTD

CRA04S04343K0JTD

ნაწილი საფონდო: 106711

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04339R0JTD

CRA04S04339R0JTD

ნაწილი საფონდო: 174458

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S0437K50JTD

CRA04S0437K50JTD

ნაწილი საფონდო: 143795

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 7.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04315R0JTD

CRA04S04315R0JTD

ნაწილი საფონდო: 105600

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043470RJTD

CRA04S043470RJTD

ნაწილი საფონდო: 121314

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S0431K10JTD

CRA04S0431K10JTD

ნაწილი საფონდო: 107919

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04368K0JTD

CRA04S04368K0JTD

ნაწილი საფონდო: 185983

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04362R0JTD

CRA04S04362R0JTD

ნაწილი საფონდო: 113929

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 62, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04310R0JTD

CRA04S04310R0JTD

ნაწილი საფონდო: 171300

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04356K0JTD

CRA04S04356K0JTD

ნაწილი საფონდო: 189181

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043620KJTD

CRA04S043620KJTD

ნაწილი საფონდო: 138524

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 620k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S04312R0JTD

CRA04S04312R0JTD

ნაწილი საფონდო: 190340

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CRA04S043750KJTD

CRA04S043750KJTD

ნაწილი საფონდო: 175172

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 750k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი