რეზისტორული ქსელები, მასივები

CRA04S08351R0JTD

CRA04S08351R0JTD

ნაწილი საფონდო: 157356

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083200RJTD

CRA04S083200RJTD

ნაწილი საფონდო: 168083

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083300KJTD

CRA04S083300KJTD

ნაწილი საფონდო: 197815

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S0837K50JTD

CRA04S0837K50JTD

ნაწილი საფონდო: 175969

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 7.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S0839K10JTD

CRA04S0839K10JTD

ნაწილი საფონდო: 159474

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 9.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S08311R0JTD

CRA04S08311R0JTD

ნაწილი საფონდო: 113411

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 11, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083680KJTD

CRA04S083680KJTD

ნაწილი საფონდო: 101188

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S08362R0JTD

CRA04S08362R0JTD

ნაწილი საფონდო: 185459

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 62, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S08336K0JTD

CRA04S08336K0JTD

ნაწილი საფონდო: 171444

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083470RJTD

CRA04S083470RJTD

ნაწილი საფონდო: 145494

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S0831K20JTD

CRA04S0831K20JTD

ნაწილი საფონდო: 172187

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083620KJTD

CRA04S083620KJTD

ნაწილი საფონდო: 169985

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 620k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083390KJTD

CRA04S083390KJTD

ნაწილი საფონდო: 107652

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083180KJTD

CRA04S083180KJTD

ნაწილი საფონდო: 138459

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083750RJTD

CRA04S083750RJTD

ნაწილი საფონდო: 129760

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 750, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083510KJTD

CRA04S083510KJTD

ნაწილი საფონდო: 115645

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S0833K00JTD

CRA04S0833K00JTD

ნაწილი საფონდო: 104711

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083910RJTD

CRA04S083910RJTD

ნაწილი საფონდო: 118998

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 910, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083120KJTD

CRA04S083120KJTD

ნაწილი საფონდო: 142349

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083180RJTD

CRA04S083180RJTD

ნაწილი საფონდო: 166638

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S08324R0JTD

CRA04S08324R0JTD

ნაწილი საფონდო: 109541

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 24, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S08310R0JTD

CRA04S08310R0JTD

ნაწილი საფონდო: 141302

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S0831M00JTD

CRA04S0831M00JTD

ნაწილი საფონდო: 184924

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083110KJTD

CRA04S083110KJTD

ნაწილი საფონდო: 134383

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 110k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S08320K0JTD

CRA04S08320K0JTD

ნაწილი საფონდო: 126726

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083220RJTD

CRA04S083220RJTD

ნაწილი საფონდო: 187920

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083240KJTD

CRA04S083240KJTD

ნაწილი საფონდო: 110151

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 240k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S08330K0JTD

CRA04S08330K0JTD

ნაწილი საფონდო: 190928

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 30k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083200KJTD

CRA04S083200KJTD

ნაწილი საფონდო: 154055

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083270RJTD

CRA04S083270RJTD

ნაწილი საფონდო: 151709

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083130RJTD

CRA04S083130RJTD

ნაწილი საფონდო: 172552

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S08316K0JTD

CRA04S08316K0JTD

ნაწილი საფონდო: 173355

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 16k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083100RJTD

CRA04S083100RJTD

ნაწილი საფონდო: 111654

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083160KJTD

CRA04S083160KJTD

ნაწილი საფონდო: 156301

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 160k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083240RJTD

CRA04S083240RJTD

ნაწილი საფონდო: 110235

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 240, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
CRA04S083430RJTD

CRA04S083430RJTD

ნაწილი საფონდო: 169767

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 430, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი