ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

M55342E12B73B2RTP

M55342E12B73B2RTP

ნაწილი საფონდო: 11542

წინააღმდეგობა: 73.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342K01B10E0RTIV

M55342K01B10E0RTIV

ნაწილი საფონდო: 11594

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B48B7RTP

D55342E07B48B7RTP

ნაწილი საფონდო: 11617

წინააღმდეგობა: 48.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B1H00RWI

D55342E07B1H00RWI

ნაწილი საფონდო: 11552

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B240ARWI

D55342E07B240ARWI

ნაწილი საფონდო: 11555

წინააღმდეგობა: 240 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342K07B75B0RWI

D55342K07B75B0RWI

ნაწილი საფონდო: 11555

წინააღმდეგობა: 75 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342E02B475DRWI

M55342E02B475DRWI

ნაწილი საფონდო: 11617

წინააღმდეგობა: 475 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B249ARTP

D55342E07B249ARTP

ნაწილი საფონდო: 11587

წინააღმდეგობა: 249 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E12B10B0RWI

M55342E12B10B0RWI

ნაწილი საფონდო: 11604

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B157BRWI

M55342E06B157BRWI

ნაწილი საფონდო: 11581

წინააღმდეგობა: 157 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B16B7RWI

D55342E07B16B7RWI

ნაწილი საფონდო: 11599

წინააღმდეგობა: 16.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B383ARWI

M55342E06B383ARWI

ნაწილი საფონდო: 11560

წინააღმდეგობა: 383 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342K06B15B0RTP

M55342K06B15B0RTP

ნაწილი საფონდო: 11597

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B16B7RTP

D55342E07B16B7RTP

ნაწილი საფონდო: 11557

წინააღმდეგობა: 16.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B2B49RWI

D55342E07B2B49RWI

ნაწილი საფონდო: 11576

წინააღმდეგობა: 2.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342K04B11E0RTIV

M55342K04B11E0RTIV

ნაწილი საფონდო: 11626

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B15B8RTP

D55342E07B15B8RTP

ნაწილი საფონდო: 11545

წინააღმდეგობა: 15.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E10B4B02RWI

M55342E10B4B02RWI

ნაწილი საფონდო: 11576

წინააღმდეგობა: 4.02 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342K07B17A8RWI

D55342K07B17A8RWI

ნაწილი საფონდო: 11578

წინააღმდეგობა: 17.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
D55342K07B5B11RWI

D55342K07B5B11RWI

ნაწილი საფონდო: 11622

წინააღმდეგობა: 5.11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B8B87RWI

D55342E07B8B87RWI

ნაწილი საფონდო: 11553

წინააღმდეგობა: 8.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342K06B1B00RTI

M55342K06B1B00RTI

ნაწილი საფონდო: 11547

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B25B5RWI

M55342E06B25B5RWI

ნაწილი საფონდო: 11616

წინააღმდეგობა: 25.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342K06B10B0RTP

M55342K06B10B0RTP

ნაწილი საფონდო: 11605

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B15B0RTI

D55342E07B15B0RTI

ნაწილი საფონდო: 11606

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342H06B2E00RWI

M55342H06B2E00RWI

ნაწილი საფონდო: 12157

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B9B53RTP

D55342E07B9B53RTP

ნაწილი საფონდო: 11592

წინააღმდეგობა: 9.53 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342K07B60B4RWI

D55342K07B60B4RWI

ნაწილი საფონდო: 11582

წინააღმდეგობა: 60.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B10B0RTI

D55342E07B10B0RTI

ნაწილი საფონდო: 11611

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B698ARWI

D55342E07B698ARWI

ნაწილი საფონდო: 11606

წინააღმდეგობა: 698 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B40B2RTP

D55342E07B40B2RTP

ნაწილი საფონდო: 11598

წინააღმდეგობა: 40.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B5B11RTI

D55342E07B5B11RTI

ნაწილი საფონდო: 11547

წინააღმდეგობა: 5.11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B1B00PWP

D55342E07B1B00PWP

ნაწილი საფონდო: 11615

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B240ARTP

M55342E06B240ARTP

ნაწილი საფონდო: 11548

წინააღმდეგობა: 240 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B965ARWI

D55342E07B965ARWI

ნაწილი საფონდო: 11616

წინააღმდეგობა: 965 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342H07B200ERTI

D55342H07B200ERTI

ნაწილი საფონდო: 11564

წინააღმდეგობა: 200 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი