ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

M55342H09B1E80RWS

M55342H09B1E80RWS

ნაწილი საფონდო: 10958

წინააღმდეგობა: 1.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B138BRWS

M55342E09B138BRWS

ნაწილი საფონდო: 10434

წინააღმდეგობა: 138 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B12E1RWSV

M55342K09B12E1RWSV

ნაწილი საფონდო: 10405

წინააღმდეგობა: 12.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B210ARWS

M55342K09B210ARWS

ნაწილი საფონდო: 10411

წინააღმდეგობა: 210 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B1C37RWS

M55342K09B1C37RWS

ნაწილი საფონდო: 10444

წინააღმდეგობა: 1.37 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B64E9RWS

M55342H09B64E9RWS

ნაწილი საფონდო: 10962

წინააღმდეგობა: 64.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B2C49RWS

M55342E09B2C49RWS

ნაწილი საფონდო: 10430

წინააღმდეგობა: 2.49 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B20D0PWS

M55342H09B20D0PWS

ნაწილი საფონდო: 10993

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B280BRWS

M55342E09B280BRWS

ნაწილი საფონდო: 10461

წინააღმდეგობა: 280 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B20D0RWS

M55342H09B20D0RWS

ნაწილი საფონდო: 10995

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B57E6RWS

M55342H09B57E6RWS

ნაწილი საფონდო: 10994

წინააღმდეგობა: 57.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B232BRWS

M55342H09B232BRWS

ნაწილი საფონდო: 10956

წინააღმდეგობა: 232 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B1B10RWS

M55342E09B1B10RWS

ნაწილი საფონდო: 10420

წინააღმდეგობა: 1.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B402DRWS

M55342H09B402DRWS

ნაწილი საფონდო: 10952

წინააღმდეგობა: 402 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B499ARWS

M55342K09B499ARWS

ნაწილი საფონდო: 10385

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B1E78RWSV

M55342K09B1E78RWSV

ნაწილი საფონდო: 10447

წინააღმდეგობა: 1.78 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B79B6PWS

M55342K09B79B6PWS

ნაწილი საფონდო: 10473

წინააღმდეგობა: 79.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B100DRWSV

M55342K09B100DRWSV

ნაწილი საფონდო: 10456

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B1B33RWS

M55342E09B1B33RWS

ნაწილი საფონდო: 10439

წინააღმდეგობა: 1.33 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B150ERWS

M55342H09B150ERWS

ნაწილი საფონდო: 10964

წინააღმდეგობა: 150 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B126ARWS

M55342E09B126ARWS

ნაწილი საფონდო: 10442

წინააღმდეგობა: 126 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B243BRWS

M55342K09B243BRWS

ნაწილი საფონდო: 10424

წინააღმდეგობა: 243 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B330DMTSV

M55342K09B330DMTSV

ნაწილი საფონდო: 10468

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B287DRWSV

M55342K09B287DRWSV

ნაწილი საფონდო: 10401

წინააღმდეგობა: 287 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B274ERT0

M55342H09B274ERT0

ნაწილი საფონდო: 10910

წინააღმდეგობა: 274 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B16B9RWS

M55342K09B16B9RWS

ნაწილი საფონდო: 10451

წინააღმდეგობა: 16.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B4B70RWS

M55342E09B4B70RWS

ნაწილი საფონდო: 10451

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B100DRT0

M55342E09B100DRT0

ნაწილი საფონდო: 10391

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B4B02RWS

M55342E09B4B02RWS

ნაწილი საფონდო: 10428

წინააღმდეგობა: 4.02 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B4E70RT0

M55342H09B4E70RT0

ნაწილი საფონდო: 10938

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B750BRWS

M55342E09B750BRWS

ნაწილი საფონდო: 10395

წინააღმდეგობა: 750 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B2E55RWS

M55342E09B2E55RWS

ნაწილი საფონდო: 10410

წინააღმდეგობა: 2.55 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B51D1RWSV

M55342K09B51D1RWSV

ნაწილი საფონდო: 10405

წინააღმდეგობა: 51.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B1B00RWS

M55342K09B1B00RWS

ნაწილი საფონდო: 10449

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B7B50RWS

M55342K09B7B50RWS

ნაწილი საფონდო: 10401

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B51D0RWS

M55342H09B51D0RWS

ნაწილი საფონდო: 10907

წინააღმდეგობა: 51 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი