ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

M55342E06B31B2RWP

M55342E06B31B2RWP

ნაწილი საფონდო: 11567

წინააღმდეგობა: 31.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E12B10E0RTI

M55342E12B10E0RTI

ნაწილი საფონდო: 11630

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E12B51B0RWI

M55342E12B51B0RWI

ნაწილი საფონდო: 11612

წინააღმდეგობა: 51 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E02B121DRWI

M55342E02B121DRWI

ნაწილი საფონდო: 11589

წინააღმდეგობა: 121 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342H11B10E0RWI

M55342H11B10E0RWI

ნაწილი საფონდო: 12120

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342E11B20B0RWI

M55342E11B20B0RWI

ნაწილი საფონდო: 11607

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342H07B9B53RTP

D55342H07B9B53RTP

ნაწილი საფონდო: 11556

წინააღმდეგობა: 9.53 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342K01B10E2RTIV

M55342K01B10E2RTIV

ნაწილი საფონდო: 11550

წინააღმდეგობა: 10.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B392ARTP

D55342E07B392ARTP

ნაწილი საფონდო: 11615

წინააღმდეგობა: 392 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E11B1B24RTI

M55342E11B1B24RTI

ნაწილი საფონდო: 11534

წინააღმდეგობა: 1.24 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342K07B24D3RTPV

D55342K07B24D3RTPV

ნაწილი საფონდო: 11547

წინააღმდეგობა: 24.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B100BRWI

M55342E06B100BRWI

ნაწილი საფონდო: 11575

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342H07B1E00RTI

D55342H07B1E00RTI

ნაწილი საფონდო: 11572

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342H11B200DRWI

M55342H11B200DRWI

ნაწილი საფონდო: 12167

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B10B2RTI

D55342E07B10B2RTI

ნაწილი საფონდო: 11628

წინააღმდეგობა: 10.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B931ARWI

M55342E06B931ARWI

ნაწილი საფონდო: 11558

წინააღმდეგობა: 931 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B154BRWI

D55342E07B154BRWI

ნაწილი საფონდო: 11558

წინააღმდეგობა: 154 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B1B00RTP

D55342E07B1B00RTP

ნაწილი საფონდო: 11598

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B2B21RTP

D55342E07B2B21RTP

ნაწილი საფონდო: 11549

წინააღმდეგობა: 2.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B15B0RTP

D55342E07B15B0RTP

ნაწილი საფონდო: 11631

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B2B00RWI

D55342E07B2B00RWI

ნაწილი საფონდო: 11533

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B37B4MTP

D55342E07B37B4MTP

ნაწილი საფონდო: 11532

წინააღმდეგობა: 37.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B274ARWI

D55342E07B274ARWI

ნაწილი საფონდო: 11541

წინააღმდეგობა: 274 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B51E1RWI

D55342E07B51E1RWI

ნაწილი საფონდო: 11589

წინააღმდეგობა: 51.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342K07B8B25RTP

D55342K07B8B25RTP

ნაწილი საფონდო: 11617

წინააღმდეგობა: 8.25 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342H11B75D0RWI

M55342H11B75D0RWI

ნაწილი საფონდო: 11533

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342H06B2E32RWI

M55342H06B2E32RWI

ნაწილი საფონდო: 12135

წინააღმდეგობა: 2.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
D55342H07B53B6RTP

D55342H07B53B6RTP

ნაწილი საფონდო: 11561

წინააღმდეგობა: 53.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B4B75RWI

M55342E06B4B75RWI

ნაწილი საფონდო: 11579

წინააღმდეგობა: 4.75 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342K07B249ARWP

D55342K07B249ARWP

ნაწილი საფონდო: 11584

წინააღმდეგობა: 249 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B187ARWI

D55342E07B187ARWI

ნაწილი საფონდო: 11588

წინააღმდეგობა: 187 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B14B7RTI

D55342E07B14B7RTI

ნაწილი საფონდო: 11579

წინააღმდეგობა: 14.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B1B37RWI

D55342E07B1B37RWI

ნაწილი საფონდო: 11580

წინააღმდეგობა: 1.37 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B15B2RWI

D55342E07B15B2RWI

ნაწილი საფონდო: 11538

წინააღმდეგობა: 15.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B7B50RWI

D55342E07B7B50RWI

ნაწილი საფონდო: 11598

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342K12B16B0RWI

M55342K12B16B0RWI

ნაწილი საფონდო: 11581

წინააღმდეგობა: 16 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი