ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

M55342K09B10J0RWSV

M55342K09B10J0RWSV

ნაწილი საფონდო: 10385

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B121DRWSV

M55342K09B121DRWSV

ნაწილი საფონდო: 10451

წინააღმდეგობა: 121 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B680GRT0

M55342H09B680GRT0

ნაწილი საფონდო: 10947

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B226ARWS

M55342K09B226ARWS

ნაწილი საფონდო: 10465

წინააღმდეგობა: 226 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B39H0RWS

M55342H09B39H0RWS

ნაწილი საფონდო: 10941

წინააღმდეგობა: 39 kOhms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B14B3RWS

M55342K09B14B3RWS

ნაწილი საფონდო: 10465

წინააღმდეგობა: 14.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B470DRWS

M55342E09B470DRWS

ნაწილი საფონდო: 10435

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B4E32RWS

M55342H09B4E32RWS

ნაწილი საფონდო: 10986

წინააღმდეგობა: 4.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B374DRWS

M55342H09B374DRWS

ნაწილი საფონდო: 10995

წინააღმდეგობა: 374 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B51E1RWS

M55342H09B51E1RWS

ნაწილი საფონდო: 10977

წინააღმდეგობა: 51.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B1E21PT0V

M55342K09B1E21PT0V

ნაწილი საფონდო: 10400

წინააღმდეგობა: 1.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B215DRWSV

M55342K09B215DRWSV

ნაწილი საფონდო: 10467

წინააღმდეგობა: 215 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B2E97RWS

M55342H09B2E97RWS

ნაწილი საფონდო: 10901

წინააღმდეგობა: 2.97 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B4E42RWS

M55342E09B4E42RWS

ნაწილი საფონდო: 10441

წინააღმდეგობა: 4.42 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B169ART0

M55342E09B169ART0

ნაწილი საფონდო: 10393

წინააღმდეგობა: 169 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B301BRWS

M55342K09B301BRWS

ნაწილი საფონდო: 10426

წინააღმდეგობა: 301 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B681DRWSV

M55342K09B681DRWSV

ნაწილი საფონდო: 10430

წინააღმდეგობა: 681 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B43J0RWSV

M55342K09B43J0RWSV

ნაწილი საფონდო: 10472

წინააღმდეგობა: 43 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B2E87RWS

M55342H09B2E87RWS

ნაწილი საფონდო: 10975

წინააღმდეგობა: 2.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B2C67RWS

M55342K09B2C67RWS

ნაწილი საფონდო: 10473

წინააღმდეგობა: 2.67 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B820ARWS

M55342E09B820ARWS

ნაწილი საფონდო: 10450

წინააღმდეგობა: 820 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B560HRT0

M55342H09B560HRT0

ნაწილი საფონდო: 10972

წინააღმდეგობა: 560 kOhms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B140BRWS

M55342E09B140BRWS

ნაწილი საფონდო: 10395

წინააღმდეგობა: 140 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B172ART0

M55342E09B172ART0

ნაწილი საფონდო: 10477

წინააღმდეგობა: 172 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B150DRT0

M55342H09B150DRT0

ნაწილი საფონდო: 10897

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B2T20PWS

M55342H09B2T20PWS

ნაწილი საფონდო: 10990

წინააღმდეგობა: 2.2 MOhms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B67B3RWS

M55342E09B67B3RWS

ნაწილი საფონდო: 10473

წინააღმდეგობა: 67.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B24D3RWS

M55342H09B24D3RWS

ნაწილი საფონდო: 10909

წინააღმდეგობა: 24.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B15B2RWS

M55342K09B15B2RWS

ნაწილი საფონდო: 10461

წინააღმდეგობა: 15.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B1B50RWS

M55342K09B1B50RWS

ნაწილი საფონდო: 10388

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B1H00RWS

M55342H09B1H00RWS

ნაწილი საფონდო: 10950

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B10D0RWS

M55342H09B10D0RWS

ნაწილი საფონდო: 10984

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B210ARBS

M55342K09B210ARBS

ნაწილი საფონდო: 10422

წინააღმდეგობა: 210 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B20E5RWSV

M55342K09B20E5RWSV

ნაწილი საფონდო: 10475

წინააღმდეგობა: 20.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B120DRWS

M55342H09B120DRWS

ნაწილი საფონდო: 10943

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B56D2RWSV

M55342K09B56D2RWSV

ნაწილი საფონდო: 10409

წინააღმდეგობა: 56.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი