ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

M55342E09B2B87RWS

M55342E09B2B87RWS

ნაწილი საფონდო: 10473

წინააღმდეგობა: 2.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B590ERT0V

M55342K09B590ERT0V

ნაწილი საფონდო: 10393

წინააღმდეგობა: 590 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B126ARBS

M55342E09B126ARBS

ნაწილი საფონდო: 10456

წინააღმდეგობა: 126 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B2E15RWSV

M55342K09B2E15RWSV

ნაწილი საფონდო: 10379

წინააღმდეგობა: 2.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B30D9RWS

M55342H09B30D9RWS

ნაწილი საფონდო: 10989

წინააღმდეგობა: 30.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B34D8RWSV

M55342K09B34D8RWSV

ნაწილი საფონდო: 10442

წინააღმდეგობა: 34.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B8B25RWS

M55342K09B8B25RWS

ნაწილი საფონდო: 10390

წინააღმდეგობა: 8.25 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B56B9RWS

M55342E09B56B9RWS

ნაწილი საფონდო: 10451

წინააღმდეგობა: 56.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B10E0RWSV

M55342K09B10E0RWSV

ნაწილი საფონდო: 10461

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B5B11RWS

M55342E09B5B11RWS

ნაწილი საფონდო: 10445

წინააღმდეგობა: 5.11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B147DRWSV

M55342K09B147DRWSV

ნაწილი საფონდო: 10448

წინააღმდეგობა: 147 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B4B70RT0

M55342K09B4B70RT0

ნაწილი საფონდო: 10453

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B48B7RWS

M55342K09B48B7RWS

ნაწილი საფონდო: 10433

წინააღმდეგობა: 48.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B750DMTSV

M55342K09B750DMTSV

ნაწილი საფონდო: 10407

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B1F00RWS

M55342H09B1F00RWS

ნაწილი საფონდო: 10989

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B105BRWS

M55342E09B105BRWS

ნაწილი საფონდო: 10423

წინააღმდეგობა: 105 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B1E00RWS

M55342H09B1E00RWS

ნაწილი საფონდო: 10937

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B6B34RWS

M55342E09B6B34RWS

ნაწილი საფონდო: 10466

წინააღმდეგობა: 6.34 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B47D5RWS

M55342H09B47D5RWS

ნაწილი საფონდო: 10957

წინააღმდეგობა: 47.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B51B1RWS

M55342H09B51B1RWS

ნაწილი საფონდო: 10956

წინააღმდეგობა: 51.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B453ARWS

M55342K09B453ARWS

ნაწილი საფონდო: 10472

წინააღმდეგობა: 453 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B3B97RWS

M55342E09B3B97RWS

ნაწილი საფონდო: 10379

წინააღმდეგობა: 3.97 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B3K30RWS

M55342E09B3K30RWS

ნაწილი საფონდო: 10473

წინააღმდეგობა: 3.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B2C00RWS

M55342E09B2C00RWS

ნაწილი საფონდო: 10384

წინააღმდეგობა: 2 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E09B100ERWS

M55342E09B100ERWS

ნაწილი საფონდო: 10393

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B2C67RBS

M55342K09B2C67RBS

ნაწილი საფონდო: 10458

წინააღმდეგობა: 2.67 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B4E64RWSV

M55342K09B4E64RWSV

ნაწილი საფონდო: 10396

წინააღმდეგობა: 4.64 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B6E81RWSV

M55342K09B6E81RWSV

ნაწილი საფონდო: 10447

წინააღმდეგობა: 6.81 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B1E21RWS

M55342H09B1E21RWS

ნაწილი საფონდო: 10955

წინააღმდეგობა: 1.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B154DRWSV

M55342K09B154DRWSV

ნაწილი საფონდო: 10426

წინააღმდეგობა: 154 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B82J0RWSV

M55342K09B82J0RWSV

ნაწილი საფონდო: 10472

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B100ERWS

M55342H09B100ERWS

ნაწილი საფონდო: 10933

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B2E00RWSV

M55342K09B2E00RWSV

ნაწილი საფონდო: 10427

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342K09B1B62RWS

M55342K09B1B62RWS

ნაწილი საფონდო: 10471

წინააღმდეგობა: 1.62 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B453DRWS

M55342H09B453DRWS

ნაწილი საფონდო: 10961

წინააღმდეგობა: 453 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M55342H09B274DRT0

M55342H09B274DRT0

ნაწილი საფონდო: 10936

წინააღმდეგობა: 274 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი