Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

თირისტორები - SCR

VS-25TTS12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS12PBF

ნაწილი საფონდო: 28426

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 45mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.25V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
VS-30TPS12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30TPS12PBF

ნაწილი საფონდო: 22962

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 45mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.3V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 20A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 30A,

სასურველი
VS-ST083S08MFM1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08MFM1

ნაწილი საფონდო: 771

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.15V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 85A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 135A,

სასურველი
VS-40TPS12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS12LHM3

ნაწილი საფონდო: 2674

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.85V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 35A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 55A,

სასურველი
VS-40TPS08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS08PBF

ნაწილი საფონდო: 15736

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.85V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 35A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 55A,

სასურველი
VS-16TTS16STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS16STRLPBF

ნაწილი საფონდო: 32695

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.4V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 10A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 16A,

სასურველი
VS-16TTS16STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS16STRRPBF

ნაწილი საფონდო: 24670

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.4V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 10A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 16A,

სასურველი
VS-40TPS12ALHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS12ALHM3

ნაწილი საფონდო: 2719

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.85V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 35A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 55A,

სასურველი
VS-25TTS12SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS12SPBF

ნაწილი საფონდო: 22139

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 45mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.25V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
VS-70TPS16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70TPS16PBF

ნაწილი საფონდო: 8888

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 100mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.4V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 70A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 75A,

სასურველი
VS-70TPS12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70TPS12PBF

ნაწილი საფონდო: 9398

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 100mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.4V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 70A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 75A,

სასურველი
VS-ST180S16P1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S16P1

ნაწილი საფონდო: 724

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 200A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 314A,

სასურველი
VS-16TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS08STRLPBF

ნაწილი საფონდო: 44068

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.4V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 10A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 16A,

სასურველი
VS-25TTS08SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS08SPBF

ნაწილი საფონდო: 22667

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 45mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.25V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
ST3230C16R0
Vishay Semiconductor Diodes Division

ST3230C16R0

ნაწილი საფონდო: 7510

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 400mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.3V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 2785A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 5970A,

სასურველი
VS-40TTS12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TTS12PBF

ნაწილი საფონდო: 29901

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 35mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.6V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 25A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 40A,

სასურველი
VS-25TTS16STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS16STRLPBF

ნაწილი საფონდო: 25224

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 45mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.25V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
VS-10TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TTS08STRLPBF

ნაწილი საფონდო: 79778

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 15mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.15V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 6.5A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 10A,

სასურველი
VS-25TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS08STRLPBF

ნაწილი საფონდო: 36195

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 45mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.25V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
VS-40TPS08APBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS08APBF

ნაწილი საფონდო: 15760

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.85V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 35A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 55A,

სასურველი
VS-16TTS08STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS08STRRPBF

ნაწილი საფონდო: 44106

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.4V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 10A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 16A,

სასურველი
VS-10TTS08STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TTS08STRRPBF

ნაწილი საფონდო: 40892

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 15mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.15V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 6.5A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 10A,

სასურველი