Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

თირისტორები - SCR

VS-ST380CH04C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380CH04C1

ნაწილი საფონდო: 693

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.58V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 960A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2220A,

სასურველი
VS-ST103S04PFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST103S04PFL0

ნაწილი საფონდო: 653

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.73V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 165A,

სასურველი
VS-10RIA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA40

ნაწილი საფონდო: 7804

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 10A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
VS-30TPS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30TPS12-M3

ნაწილი საფონდო: 11422

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 45mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.3V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 20A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 30A,

სასურველი
VS-ST083S04PFM1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S04PFM1P

ნაწილი საფონდო: 1037

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.15V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 85A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 135A,

სასურველი
VS-25RIA60M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA60M

ნაწილი საფონდო: 4527

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 25A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 40A,

სასურველი
VS-ST780C04L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST780C04L1L

ნაწილი საფონდო: 602

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.31V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1350A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2700A,

სასურველი
VS-ST300C18C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C18C0

ნაწილი საფონდო: 543

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.18V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 650A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1290A,

სასურველი
VS-ST183C04CFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST183C04CFL0

ნაწილი საფონდო: 1195

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.8V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 370A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 690A,

სასურველი
VS-ST330S16M1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16M1

ნაწილი საფონდო: 448

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.52V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 330A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 520A,

სასურველი
VS-ST1000C22K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C22K1

ნაწილი საფონდო: 349

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.8V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1473A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2913A,

სასურველი
VS-ST183C08CFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST183C08CFN1

ნაწილი საფონდო: 1066

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.8V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 370A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 690A,

სასურველი
VS-ST103S08PFN2P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST103S08PFN2P

ნაწილი საფონდო: 1068

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.73V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 165A,

სასურველი
VS-110RKI120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI120

ნაწილი საფონდო: 1323

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 120mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.57V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 172A,

სასურველი
VS-ST780C04L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST780C04L1

ნაწილი საფონდო: 630

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.31V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1350A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2700A,

სასურველი
VS-ST303C04CFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C04CFL0

ნაწილი საფონდო: 860

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.16V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 620A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1180A,

სასურველი
VS-ST103S04PFL0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST103S04PFL0P

ნაწილი საფონდო: 1060

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.73V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 165A,

სასურველი
VS-ST083S08PFN0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFN0P

ნაწილი საფონდო: 1080

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.15V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 85A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 135A,

სასურველი
VS-111RKI40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI40

ნაწილი საფონდო: 1740

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 120mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.57V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 172A,

სასურველი
VS-ST1280C06K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1280C06K1

ნაწილი საფონდო: 323

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.44V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 2310A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 4150A,

სასურველი
VS-ST730C20L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C20L1L

ნაწილი საფონდო: 657

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.62V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 990A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2000A,

სასურველი
VS-2N690
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N690

ნაწილი საფონდო: 6823

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 40mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
VS-ST230S04M1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S04M1V

ნაწილი საფონდო: 668

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.55V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 230A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 360A,

სასურველი
VS-ST380C06C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380C06C1

ნაწილი საფონდო: 877

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.6V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 960A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1900A,

სასურველი
VS-16RIA60M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA60M

ნაწილი საფონდო: 4603

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 35A,

სასურველი
VS-ST330C16C1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16C1L

ნაწილი საფონდო: 710

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.96V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 720A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1420A,

სასურველი
VS-ST230C16C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C16C0L

ნაწილი საფონდო: 1079

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.69V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 410A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 780A,

სასურველი
VS-111RKI80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI80PBF

ნაწილი საფონდო: 1912

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 120mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.57V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 172A,

სასურველი
VS-ST1200C12K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C12K1

ნაწილი საფონდო: 326

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.73V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1650A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 3080A,

სასურველი
VS-25TTS08FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS08FPPBF

ნაწილი საფონდო: 20137

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 45mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.25V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
VS-ST330C04L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C04L0

ნაწილი საფონდო: 692

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.9V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 650A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1230A,

სასურველი
VS-ST300C12C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C12C0L

ნაწილი საფონდო: 843

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.18V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 650A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1290A,

სასურველი
VS-ST1200C18K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C18K0P

ნაწილი საფონდო: 311

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.73V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1650A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 3080A,

სასურველი
VS-ST1200C18K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C18K1

ნაწილი საფონდო: 319

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.73V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1650A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 3080A,

სასურველი
VS-ST110S04P1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S04P1VPBF

ნაწილი საფონდო: 1302

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.52V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 175A,

სასურველი
VS-ST230S04M1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S04M1VPBF

ნაწილი საფონდო: 653

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.55V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 230A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 360A,

სასურველი