Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

თირისტორები - SCR

VS-ST223C08CFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST223C08CFN1

ნაწილი საფონდო: 1056

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.58V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 390A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 745A,

სასურველი
VS-ST110S04P0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S04P0VPBF

ნაწილი საფონდო: 1296

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.52V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 175A,

სასურველი
VS-ST180S04P0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S04P0VPBF

ნაწილი საფონდო: 1194

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 200A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 314A,

სასურველი
VS-10RIA80M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA80M

ნაწილი საფონდო: 4562

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 25A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 10A,

სასურველი
VS-ST730C20L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C20L1

ნაწილი საფონდო: 601

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.62V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 990A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2000A,

სასურველი
VS-50RIA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA40

ნაწილი საფონდო: 5710

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 100mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.6V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 50A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 80A,

სასურველი
VS-ST223C04CFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST223C04CFL1

ნაწილი საფონდო: 1184

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.58V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 390A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 745A,

სასურველი
VS-ST330S12P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S12P0PBF

ნაწილი საფონდო: 699

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.52V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 330A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 520A,

სასურველი
VS-ST650C24L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST650C24L1

ნაწილი საფონდო: 467

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2.4kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.07V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 790A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1557A,

სასურველი
VS-ST333C04LFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04LFL1

ნაწილი საფონდო: 489

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.96V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 720A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1435A,

სასურველი
VS-80RIA40MPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80RIA40MPBF

ნაწილი საფონდო: 816

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 120mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.6V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 80A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 125A,

სასურველი
VS-ST173C10CFP1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173C10CFP1

ნაწილი საფონდო: 1039

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.07V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 330A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 610A,

სასურველი
VS-ST1000C18K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C18K1

ნაწილი საფონდო: 332

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.8V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1473A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2913A,

სასურველი
VS-ST180S12M1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S12M1L

ნაწილი საფონდო: 694

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 200A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 314A,

სასურველი
VS-ST300C08C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C08C0L

ნაწილი საფონდო: 763

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.18V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 650A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1290A,

სასურველი
VS-110RKI40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI40

ნაწილი საფონდო: 1575

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 120mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.57V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 172A,

სასურველი
VS-50RIA100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA100

ნაწილი საფონდო: 4863

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 100mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.6V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 50A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 80A,

სასურველი
VS-ST733C04LFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST733C04LFL1

ნაწილი საფონდო: 607

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.63V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 940A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1900A,

სასურველი
VS-ST700C16L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C16L0

ნაწილი საფონდო: 619

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.8V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 910A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1857A,

სასურველი
VS-25TTS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS12S-M3

ნაწილი საფონდო: 72684

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 45mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.25V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
VS-110RKI120M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI120M

ნაწილი საფონდო: 764

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 120mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.57V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 172A,

სასურველი
VS-16RIA120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA120

ნაწილი საფონდო: 3873

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 35A,

სასურველი
VS-ST380C04C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380C04C0

ნაწილი საფონდო: 821

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.6V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 960A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1900A,

სასურველი
VS-80RIA80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80RIA80

ნაწილი საფონდო: 1704

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 120mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.6V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 80A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 125A,

სასურველი
VS-16TTS16STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS16STRL-M3

ნაწილი საფონდო: 52805

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.4V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 10A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 16A,

სასურველი
VS-ST280C06C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280C06C0

ნაწილი საფონდო: 1292

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.36V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 960A,

სასურველი
VS-ST733C04LFM1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST733C04LFM1

ნაწილი საფონდო: 600

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.63V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 940A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1900A,

სასურველი
VS-ST303S12PFK0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S12PFK0P

ნაწილი საფონდო: 456

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.16V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 300A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 471A,

სასურველი
VS-16TTS08STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS08STRR-M3

ნაწილი საფონდო: 59477

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.4V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 10A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 16A,

სასურველი
VS-ST1200C20K1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C20K1P

ნაწილი საფონდო: 222

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.73V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1650A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 3080A,

სასურველი
VS-ST333S08MFL1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333S08MFL1P

ნაწილი საფონდო: 405

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.96V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 330A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 518A,

სასურველი
VS-ST330S04P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S04P0

ნაწილი საფონდო: 537

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.52V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 330A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 520A,

სასურველი
VS-ST730C20L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C20L0

ნაწილი საფონდო: 642

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.62V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 990A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2000A,

სასურველი
VS-16TTS16STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS16STRR-M3

ნაწილი საფონდო: 52780

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.4V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 10A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 16A,

სასურველი
VS-ST330S04P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S04P0PBF

ნაწილი საფონდო: 459

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.52V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 330A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 520A,

სასურველი
VS-50RIA120S90
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA120S90

ნაწილი საფონდო: 2606

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 100mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.6V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 50A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 80A,

სასურველი