ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

PTN1206E1004BST1

PTN1206E1004BST1

ნაწილი საფონდო: 95296

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E7963BST1

PTN1206E7963BST1

ნაწილი საფონდო: 106313

წინააღმდეგობა: 796 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E9423BST1

PTN1206E9423BST1

ნაწილი საფონდო: 106282

წინააღმდეგობა: 942 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E8983BST1

PTN1206E8983BST1

ნაწილი საფონდო: 106324

წინააღმდეგობა: 898 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E7683BST1

PTN1206E7683BST1

ნაწილი საფონდო: 106282

წინააღმდეგობა: 768 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E9883BST1

PTN1206E9883BST1

ნაწილი საფონდო: 106366

წინააღმდეგობა: 988 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E8763BST1

PTN1206E8763BST1

ნაწილი საფონდო: 106309

წინააღმდეგობა: 876 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E5363BST1

PTN1206E5363BST1

ნაწილი საფონდო: 106361

წინააღმდეგობა: 536 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E7063BST1

PTN1206E7063BST1

ნაწილი საფონდო: 106297

წინააღმდეგობა: 706 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E5763BST1

PTN1206E5763BST1

ნაწილი საფონდო: 106284

წინააღმდეგობა: 576 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E9533BST1

PTN1206E9533BST1

ნაწილი საფონდო: 106314

წინააღმდეგობა: 953 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E5173BST1

PTN1206E5173BST1

ნაწილი საფონდო: 106322

წინააღმდეგობა: 517 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E6423BST1

PTN1206E6423BST1

ნაწილი საფონდო: 106374

წინააღმდეგობა: 642 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E5903BST1

PTN1206E5903BST1

ნაწილი საფონდო: 106292

წინააღმდეგობა: 590 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E8063BST1

PTN1206E8063BST1

ნაწილი საფონდო: 106315

წინააღმდეგობა: 806 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E5973BST1

PTN1206E5973BST1

ნაწილი საფონდო: 106360

წინააღმდეგობა: 597 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PATT0402K7R68FGT1

PATT0402K7R68FGT1

ნაწილი საფონდო: 95157

წინააღმდეგობა: 7.68 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E9203BST1

PTN1206E9203BST1

ნაწილი საფონდო: 106319

წინააღმდეგობა: 920 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E5563BST1

PTN1206E5563BST1

ნაწილი საფონდო: 106365

წინააღმდეგობა: 556 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E5623BST1

PTN1206E5623BST1

ნაწილი საფონდო: 106339

წინააღმდეგობა: 562 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E6263BST1

PTN1206E6263BST1

ნაწილი საფონდო: 106357

წინააღმდეგობა: 626 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E7873BST1

PTN1206E7873BST1

ნაწილი საფონდო: 106312

წინააღმდეგობა: 787 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E8563BST1

PTN1206E8563BST1

ნაწილი საფონდო: 106343

წინააღმდეგობა: 856 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E5833BST1

PTN1206E5833BST1

ნაწილი საფონდო: 106317

წინააღმდეგობა: 583 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E6123BST1

PTN1206E6123BST1

ნაწილი საფონდო: 106306

წინააღმდეგობა: 612 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E5113BST1

PTN1206E5113BST1

ნაწილი საფონდო: 106298

წინააღმდეგობა: 511 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E8353BST1

PTN1206E8353BST1

ნაწილი საფონდო: 106320

წინააღმდეგობა: 835 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E7413BST1

PTN1206E7413BST1

ნაწილი საფონდო: 106366

წინააღმდეგობა: 741 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E9313BST1

PTN1206E9313BST1

ნაწილი საფონდო: 106375

წინააღმდეგობა: 931 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
MCU08050F1212BP100

MCU08050F1212BP100

ნაწილი საფონდო: 108395

წინააღმდეგობა: 12.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
MCU08050F1002BP100

MCU08050F1002BP100

ნაწილი საფონდო: 108421

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
MCU08050F2702BP100

MCU08050F2702BP100

ნაწილი საფონდო: 108377

წინააღმდეგობა: 27 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
MCU08050F2701BP100

MCU08050F2701BP100

ნაწილი საფონდო: 108344

წინააღმდეგობა: 2.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
MCU08050F4421BP100

MCU08050F4421BP100

ნაწილი საფონდო: 108344

წინააღმდეგობა: 4.42 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
MCU08050F5602BP100

MCU08050F5602BP100

ნაწილი საფონდო: 108381

წინააღმდეგობა: 56 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
MCU08050F3240BP100

MCU08050F3240BP100

ნაწილი საფონდო: 108362

წინააღმდეგობა: 324 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი