ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

MMB02070E2000BB700

MMB02070E2000BB700

ნაწილი საფონდო: 74

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
MCA12060F1802BP100

MCA12060F1802BP100

ნაწილი საფონდო: 94202

წინააღმდეგობა: 18 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
MMB02070E1004BB200

MMB02070E1004BB200

ნაწილი საფონდო: 82

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
MCA12060F2002BP100

MCA12060F2002BP100

ნაწილი საფონდო: 94241

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
MMB02070E2000BB200

MMB02070E2000BB200

ნაწილი საფონდო: 152

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
MCA12060F1132BP100

MCA12060F1132BP100

ნაწილი საფონდო: 94247

წინააღმდეგობა: 11.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
MCA12060F2213CP100

MCA12060F2213CP100

ნაწილი საფონდო: 94233

წინააღმდეგობა: 221 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
MCA12060F4991BP100

MCA12060F4991BP100

ნაწილი საფონდო: 94157

წინააღმდეგობა: 4.99 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
MMB02070E3322BB200

MMB02070E3322BB200

ნაწილი საფონდო: 119

წინააღმდეგობა: 33.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
PATT0402L1R50FGT1

PATT0402L1R50FGT1

ნაწილი საფონდო: 95169

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
FC0603E50R0JST1

FC0603E50R0JST1

ნაწილი საფონდო: 97122

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E7593BST1

PTN1206E7593BST1

ნაწილი საფონდო: 106332

წინააღმდეგობა: 759 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E5303BST1

PTN1206E5303BST1

ნაწილი საფონდო: 106297

წინააღმდეგობა: 530 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E8163BST1

PTN1206E8163BST1

ნაწილი საფონდო: 106376

წინააღმდეგობა: 816 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E5053BST1

PTN1206E5053BST1

ნაწილი საფონდო: 106292

წინააღმდეგობა: 505 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PATT0402L2R49FGT1

PATT0402L2R49FGT1

ნაწილი საფონდო: 95137

წინააღმდეგობა: 2.49 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E7153BST1

PTN1206E7153BST1

ნაწილი საფონდო: 106302

წინააღმდეგობა: 715 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E6493BST1

PTN1206E6493BST1

ნაწილი საფონდო: 106326

წინააღმდეგობა: 649 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E6813BST1

PTN1206E6813BST1

ნაწილი საფონდო: 106324

წინააღმდეგობა: 681 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E5423BST1

PTN1206E5423BST1

ნაწილი საფონდო: 106372

წინააღმდეგობა: 542 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E9653BST1

PTN1206E9653BST1

ნაწილი საფონდო: 106283

წინააღმდეგობა: 965 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E6343BST1

PTN1206E6343BST1

ნაწილი საფონდო: 106348

წინააღმდეგობა: 634 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E8663BST1

PTN1206E8663BST1

ნაწილი საფონდო: 106315

წინააღმდეგობა: 866 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E8253BST1

PTN1206E8253BST1

ნაწილი საფონდო: 106377

წინააღმდეგობა: 825 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E6983BST1

PTN1206E6983BST1

ნაწილი საფონდო: 106370

წინააღმდეგობა: 698 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E5693BST1

PTN1206E5693BST1

ნაწილი საფონდო: 106322

წინააღმდეგობა: 569 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PATT0402L4R87FGT1

PATT0402L4R87FGT1

ნაწილი საფონდო: 95134

წინააღმდეგობა: 4.87 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E6733BST1

PTN1206E6733BST1

ნაწილი საფონდო: 106289

წინააღმდეგობა: 673 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E6193BST1

PTN1206E6193BST1

ნაწილი საფონდო: 106338

წინააღმდეგობა: 619 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E5493BST1

PTN1206E5493BST1

ნაწილი საფონდო: 106318

წინააღმდეგობა: 549 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E6573BST1

PTN1206E6573BST1

ნაწილი საფონდო: 106373

წინააღმდეგობა: 657 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PATT0402L3R09FGT1

PATT0402L3R09FGT1

ნაწილი საფონდო: 95108

წინააღმდეგობა: 3.09 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E7233BST1

PTN1206E7233BST1

ნაწილი საფონდო: 106282

წინააღმდეგობა: 723 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E6903BST1

PTN1206E6903BST1

ნაწილი საფონდო: 106367

წინააღმდეგობა: 690 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E9763BST1

PTN1206E9763BST1

ნაწილი საფონდო: 106337

წინააღმდეგობა: 976 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PTN1206E8873BST1

PTN1206E8873BST1

ნაწილი საფონდო: 106352

წინააღმდეგობა: 887 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი