ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

FC0402E1000GST1

FC0402E1000GST1

ნაწილი საფონდო: 80545

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0402E1000FTBST1

FC0402E1000FTBST1

ნაწილი საფონდო: 80539

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0603E1000BST1

FC0603E1000BST1

ნაწილი საფონდო: 72155

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0402E50R0FTBST1

FC0402E50R0FTBST1

ნაწილი საფონდო: 80542

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0603E1000BTBST1

FC0603E1000BTBST1

ნაწილი საფონდო: 72245

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0603E1000BTBT1

FC0603E1000BTBT1

ნაწილი საფონდო: 80521

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0603E50R0GST1

FC0603E50R0GST1

ნაწილი საფონდო: 80565

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0402E1000DST1

FC0402E1000DST1

ნაწილი საფონდო: 80492

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0603E50R0BBT1

FC0603E50R0BBT1

ნაწილი საფონდო: 80474

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0603E50R0BST1

FC0603E50R0BST1

ნაწილი საფონდო: 72182

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0402E1000BTBST1

FC0402E1000BTBST1

ნაწილი საფონდო: 72206

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0402E50R0BTBT1

FC0402E50R0BTBT1

ნაწილი საფონდო: 80554

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0402E1000DTBST1

FC0402E1000DTBST1

ნაწილი საფონდო: 80518

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0402E1000GTBST1

FC0402E1000GTBST1

ნაწილი საფონდო: 80566

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0402E50R0BBT1

FC0402E50R0BBT1

ნაწილი საფონდო: 80526

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0402E1000JST1

FC0402E1000JST1

ნაწილი საფონდო: 80483

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0402E1000BBT1

FC0402E1000BBT1

ნაწილი საფონდო: 80537

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0402E50R0GTBST1

FC0402E50R0GTBST1

ნაწილი საფონდო: 80481

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0603E1000DST1

FC0603E1000DST1

ნაწილი საფონდო: 80505

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0603E1000GST1

FC0603E1000GST1

ნაწილი საფონდო: 80548

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0402E50R0DTBST1

FC0402E50R0DTBST1

ნაწილი საფონდო: 80569

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0603E50R0BTBT1

FC0603E50R0BTBT1

ნაწილი საფონდო: 80470

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0603E1000FTBST1

FC0603E1000FTBST1

ნაწილი საფონდო: 80508

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0402E50R0DST1

FC0402E50R0DST1

ნაწილი საფონდო: 80490

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0402E50R0JTBST1

FC0402E50R0JTBST1

ნაწილი საფონდო: 80507

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0603E1000DTBST1

FC0603E1000DTBST1

ნაწილი საფონდო: 80555

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0402E50R0GST1

FC0402E50R0GST1

ნაწილი საფონდო: 80483

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0603E50R0BTBST1

FC0603E50R0BTBST1

ნაწილი საფონდო: 72226

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0402E50R0BTBST1

FC0402E50R0BTBST1

ნაწილი საფონდო: 72224

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0402E50R0JST1

FC0402E50R0JST1

ნაწილი საფონდო: 80535

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0603E1000FST1

FC0603E1000FST1

ნაწილი საფონდო: 80471

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0603E50R0JTBST1

FC0603E50R0JTBST1

ნაწილი საფონდო: 80535

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0603E1000JTBST1

FC0603E1000JTBST1

ნაწილი საფონდო: 80524

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0603E50R0FTBST1

FC0603E50R0FTBST1

ნაწილი საფონდო: 80517

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0402E1000BTBT1

FC0402E1000BTBT1

ნაწილი საფონდო: 80470

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0402E1000JTBST1

FC0402E1000JTBST1

ნაწილი საფონდო: 80541

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი