დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 100

AS4PJHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1562

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 962mV @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.8µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PGHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1550

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 962mV @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.8µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PGHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1549

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 962mV @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.8µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PDHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 5590

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 962mV @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.8µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PDHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1533

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 962mV @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.8µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PMHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1514

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.1A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.2µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PMHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1551

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.1A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.2µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PKHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1516

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.1A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.2µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PKHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1523

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.1A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.2µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1557

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.1A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.2µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PGHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1579

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.1A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.2µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PDHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1491

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.1A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.2µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PGHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1574

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.1A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.2µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PMHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1534

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 120ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PKHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1551

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 120ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PKHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1589

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 120ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1584

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1577

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PGHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1522

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PGHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1556

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PDHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1503

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PDHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1498

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PMHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1495

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 120ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PMHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1521

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 120ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PKHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1530

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 120ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PKHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1564

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 120ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1498

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1583

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PGHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1539

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PGHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1529

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PDHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1556

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PDHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1542

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PKHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1229

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.3A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.5V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PDHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1215

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.1A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.2µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PMHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1252

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 120ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 5198

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.1A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.2µs,

სასურველი