Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი
AR4PKHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PKHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 122766

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 120ns,

სასურველი
AS4PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PG-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 156118

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 962mV @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.8µs,

სასურველი
AR3PGHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PGHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 166071

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი
AU3PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PG-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 193734

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.7A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი
AR4PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 128845

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი
AR4PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PG-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 191634

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი
AU3PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 127642

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.7A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი
AS3PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 186811

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.2µs,

სასურველი
AU2PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PJHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 174404

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი
AU3PD-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PD-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 193813

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.7A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი
AR4PJ-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJ-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 191604

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი
AS4PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PDHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 128759

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.8µs,

სასურველი
AS3PMHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PMHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 186880

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.2µs,

სასურველი
AS3PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 177930

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.2µs,

სასურველი
AR3PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PG-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 187656

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი
AU3PJ-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJ-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 184541

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.7A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი
AR3PM-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PM-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 157035

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 120ns,

სასურველი
AR3PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PDHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 174434

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი
AU2PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PDHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 174405

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი
AU3PJ-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJ-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 193760

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.7A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი
AR4PGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PGHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 128885

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი
AR4PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PDHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 122728

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი
AS4PMHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PMHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 128756

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.8µs,

სასურველი
AR3PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PG-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 164275

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი
AS3PM-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PM-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 159938

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.1A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.2µs,

სასურველი
AS3PD-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PD-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 148577

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.1A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.2µs,

სასურველი
AR4PM-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PM-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 197456

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 120ns,

სასურველი
AU2PD-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PD-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 171186

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი
AU2PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PJHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 166083

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი
AR4PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PG-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 163453

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი
AS4PD-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PD-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 109249

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 962mV @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.8µs,

სასურველი
AR4PMHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PMHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 140691

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 120ns,

სასურველი
AR3PKHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PKHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 166063

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 120ns,

სასურველი
AR4PD-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PD-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 143683

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი
AR4PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PDHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 128914

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი
AU2PGHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PGHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 166086

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი