დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 100

AS4PKHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 128809

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.8µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PM-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 101261

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 120ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PGHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 122697

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PG-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 175261

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 962mV @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.8µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PMHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 174400

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 120ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PMHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 166135

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 120ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PM-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 130544

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 962mV @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.8µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PGHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 127625

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.7A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PB-M3/84A

ნაწილი საფონდო: 145387

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.5µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PBHM3/85A

ნაწილი საფონდო: 111526

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.5µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PB-M3/85A

ნაწილი საფონდო: 167419

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.5µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PBHM3/84A

ნაწილი საფონდო: 169851

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.5µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3BJHM3/52T

ნაწილი საფონდო: 2002

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.05V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.5µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3BJHM3/5BT

ნაწილი საფონდო: 2001

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.05V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.5µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PMHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1569

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.5V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PMHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1586

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.5V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PKHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1558

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.5V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PKHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1511

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.5V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 5221

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.7A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1534

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.7A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PGHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1562

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.7A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PGHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1586

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.7A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PDHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1572

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.7A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PDHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1534

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.7A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PMHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1592

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.3A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.5V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PJHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1551

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PKHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1606

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.3A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.5V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PGHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 5191

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PJHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1598

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PGHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1575

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PDHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1556

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PMHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1536

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 962mV @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.8µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PDHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1553

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PKHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 1585

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 962mV @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.8µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PMHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1567

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 962mV @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.8µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PKHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 1563

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 962mV @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.8µs,

სასურველი