Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - მასივები
VS-300CNQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-300CNQ045PBF

ნაწილი საფონდო: 1541

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 770mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKD196/04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD196/04PBF

ნაწილი საფონდო: 1257

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 97.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBLF25L30CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLF25L30CTHE3/45

ნაწილი საფონდო: 78332

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 12.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 490mV @ 12.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-VSKC196/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC196/16PBF

ნაწილი საფონდო: 482

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 97.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VB40150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB40150C-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 71671

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.43V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-HFA140FA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA140FA60

ნაწილი საფონდო: 1679

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 70A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB25H60CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB25H60CTHE3_A/I

ნაწილი საფონდო: 65351

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBLB25L30CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB25L30CTHE3_A/P

ნაწილი საფონდო: 78920

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 12.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 390mV @ 12.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB2045CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2045CTHE3_A/P

ნაწილი საფონდო: 100816

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-83CNQ100ASLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-83CNQ100ASLPBF

ნაწილი საფონდო: 8060

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-82CNQ030ASLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-82CNQ030ASLPBF

ნაწილი საფონდო: 8068

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
UG10DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG10DCT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 65449

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-20CTH03-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTH03-M3

ნაწილი საფონდო: 3979

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-UFL80FA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFL80FA60

ნაწილი საფონდო: 3449

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 65A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.49V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-15CTQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ045SPBF

ნაწილი საფონდო: 29469

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 7.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-113CNQ100ASLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-113CNQ100ASLPBF

ნაწილი საფონდო: 7192

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 55A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 110A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-16CTU04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTU04-M3

ნაწილი საფონდო: 5323

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-63CPQ100-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-63CPQ100-N3

ნაწილი საფონდო: 6290

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-HFA140FA120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA140FA120

ნაწილი საფონდო: 1343

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 4V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VF30200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF30200C-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 54100

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-UFL230FA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFL230FA60

ნაწილი საფონდო: 3027

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 160A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.44V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FEP30HP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP30HP-E3/45

ნაწილი საფონდო: 29672

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 500V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-30CPQ060-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPQ060-N3

ნაწილი საფონდო: 12857

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VB60100C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB60100C-M3/8W

ნაწილი საფონდო: 43894

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 790mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-30CPH03PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPH03PBF

ნაწილი საფონდო: 28925

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VF20200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF20200C-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 42102

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V60100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V60100C-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 25349

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 790mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-UFB280FA20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB280FA20

ნაწილი საფონდო: 3163

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 175A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 120A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VF30100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF30100C-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 86118

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-40CPQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CPQ045PBF

ნაწილი საფონდო: 11484

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 490mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBL3040PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBL3040PT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 28497

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VF30150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF30150C-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 31197

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.36V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-47CTQ020PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-47CTQ020PBF

ნაწილი საფონდო: 26251

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-25CTQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25CTQ045SPBF

ნაწილი საფონდო: 20628

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 560mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-UFB250FA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB250FA60

ნაწილი საფონდო: 3295

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 168A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.19V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VBT10200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT10200C-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 67197

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი