Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - მასივები
V40150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V40150C-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 80223

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.43V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-UFH280FA30
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFH280FA30

ნაწილი საფონდო: 913

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 160A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.27V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-RA220FA120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-RA220FA120

ნაწილი საფონდო: 903

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 108A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.31V @ 110A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB1545CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1545CT-E3/81

ნაწილი საფონდო: 88538

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 7.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-87CNQ020APBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-87CNQ020APBF

ნაწილი საფონდო: 5785

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-UFB80FA20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB80FA20

ნაწილი საფონდო: 3795

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.08V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-HFA32PA120CPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA32PA120CPBF

ნაწილი საფონდო: 4658

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 3V @ 16A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF2545CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF2545CT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 36153

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 12.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 820mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VT10200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT10200C-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 61039

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V20100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20100C-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 46071

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 790mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-30CPQ060PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPQ060PBF

ნაწილი საფონდო: 18752

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
M6060P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

M6060P-E3/45

ნაწილი საფონდო: 25211

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 640mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-60CPU06-F
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-60CPU06-F

ნაწილი საფონდო: 11532

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.65V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-UFB130FA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB130FA40

ნაწილი საფონდო: 3710

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 65A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.37V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VF60100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF60100C-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 63804

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 790mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-60CPQ150-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-60CPQ150-N3

ნაწილი საფონდო: 7922

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 830mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-MUR1020CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MUR1020CT-M3

ნაწილი საფონდო: 5382

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V40150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V40150C-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 57422

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.43V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VB60170G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB60170G-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 39821

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 170V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.02V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V30120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V30120C-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 80247

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 970mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VB30202C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB30202C-M3/8W

ნაწილი საფონდო: 41000

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-30CTH03-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTH03-M3

ნაწილი საფონდო: 4313

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-HFA30TA60CS-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA30TA60CS-M3

ნაწილი საფონდო: 5283

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V40170C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V40170C-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 23489

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 170V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-30CTH02SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTH02SPBF

ნაწილი საფონდო: 26486

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.05V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-QA300FA17
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-QA300FA17

ნაწილი საფონდო: 920

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 170V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 980mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-STPS40L40CW-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-STPS40L40CW-N3

ნაწილი საფონდო: 9568

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 590mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VBT6045C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT6045C-E3/8W

ნაწილი საფონდო: 46904

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 640mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB2060CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2060CT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 96225

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VB40170C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB40170C-E3/8W

ნაწილი საფონდო: 36546

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 170V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-60CPH03PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-60CPH03PBF

ნაწილი საფონდო: 13447

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 30A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V60100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V60100C-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 52101

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 790mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-MUR1620CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MUR1620CT-M3

ნაწილი საფონდო: 4373

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 975mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-STPS30L60CWPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-STPS30L60CWPBF

ნაწილი საფონდო: 32204

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V30100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V30100C-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 86247

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VB30100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB30100C-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 80630

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი