ოპტოიზოლატორები - Triac, SCR გამომავალი | იზოლატორები | 2

TLP3052(S,C,F)

ნაწილი საფონდო: 898

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: No, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 500V/µs (Typ),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP161G(U,C,F)

ნაწილი საფონდო: 55518

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: Yes, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, სტატიკური dV / dt (წთ): 200V/µs,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(V4-TPR,E

ნაწილი საფონდო: 8555

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: Yes, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 200V/µs,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP166J(V4,C,F)

ნაწილი საფონდო: 73970

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: Yes, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 200V/µs,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3062A(TP1,F

ნაწილი საფონდო: 8599

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: Yes, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 2000V/µs (Typ),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(V4-TPL,E

ნაწილი საფონდო: 8523

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: Yes, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 200V/µs,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3063SCF

ნაწილი საფონდო: 8568

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: Yes, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 200V/µs,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(TPR,E

ნაწილი საფონდო: 199932

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: No, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 500V/µs (Typ),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(TPL,E

ნაწილი საფონდო: 8536

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: Yes, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 200V/µs,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3073(F

ნაწილი საფონდო: 8444

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: No, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, სტატიკური dV / dt (წთ): 2000V/µs (Typ),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(V4T7TL,E

ნაწილი საფონდო: 860

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: Yes, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 200V/µs,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3042(TP1,S,C,F)

ნაწილი საფონდო: 8497

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: Yes, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, სტატიკური dV / dt (წთ): 200V/µs,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(TPL,E

ნაწილი საფონდო: 8478

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: No, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 500V/µs (Typ),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP267J(E

ნაწილი საფონდო: 8436

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: No, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 500V/µs (Typ),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(V4T7TR,E

ნაწილი საფონდო: 8518

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: Yes, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 200V/µs,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(E

ნაწილი საფონდო: 8544

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: No, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 500V/µs (Typ),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(V4T7,E

ნაწილი საფონდო: 908

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: No, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 500V/µs (Typ),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP268J(T2-TPL,E

ნაწილი საფონდო: 8466

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: Yes, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 500V/µs (Typ),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP260JTPRPF

ნაწილი საფონდო: 8449

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: No, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3000Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 500V/µs (Typ),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP168J(TPR,U,C,F)

ნაწილი საფონდო: 938

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: Yes, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 200V/µs,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP267J(TPR,E

ნაწილი საფონდო: 8470

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: No, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 500V/µs (Typ),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3064(TP1,SC,F,T)

ნაწილი საფონდო: 8550

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: Yes, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 200V/µs,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(V4,E

ნაწილი საფონდო: 8471

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: No, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 500V/µs (Typ),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(V4-TPR,E

ნაწილი საფონდო: 8560

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: No, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 500V/µs (Typ),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3023SF

ნაწილი საფონდო: 77992

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: No, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, სტატიკური dV / dt (წთ): 200V/µs,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(TPR,E

ნაწილი საფონდო: 8534

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: Yes, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 200V/µs,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3062A(LF1,F

ნაწილი საფონდო: 8556

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: Yes, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 2000V/µs (Typ),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP161J(TPR,U,C,F)

ნაწილი საფონდო: 8530

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: Yes, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 200V/µs,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3064(D4TP1S,C,F

ნაწილი საფონდო: 8525

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: Yes, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 200V/µs,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP268J(TPL,E

ნაწილი საფონდო: 8503

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: Yes, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 500V/µs (Typ),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP160J(U,C,F)

ნაწილი საფონდო: 102033

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: No, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 500V/µs,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP168J(U,C,F)

ნაწილი საფონდო: 68893

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: Yes, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 200V/µs,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3043(S,C,F)

ნაწილი საფონდო: 55528

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: Yes, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, სტატიკური dV / dt (წთ): 200V/µs,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP361J(F)

ნაწილი საფონდო: 8490

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: Yes, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 200V/µs,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3062A(F

ნაწილი საფონდო: 8528

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: Yes, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 2000V/µs (Typ),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3052A(TP1,F

ნაწილი საფონდო: 8485

გამოყვანის ტიპი: Triac, ნულოვანი გადაკვეთის წრე: No, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, სტატიკური dV / dt (წთ): 2000V/µs (Typ),

სასურველი