Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი
2SA949-Y,ONK-1F(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(M

ნაწილი საფონდო: 6969

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 150V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

სასურველი
2SA965-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O(TE6,F,M)

ნაწილი საფონდო: 7016

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 800mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 120V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

სასურველი
2SA949-Y,ONK-1F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(J

ნაწილი საფონდო: 6976

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 150V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

სასურველი
2SA949-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,F(J

ნაწილი საფონდო: 6938

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 150V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

სასურველი
2SA949-Y(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(TE6,F,M)

ნაწილი საფონდო: 6937

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 150V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

სასურველი
2SA949-Y(T6SHRP,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6SHRP,FM

ნაწილი საფონდო: 6975

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 150V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

სასურველი
2SA949-Y(T6ONK1,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6ONK1,FM

ნაწილი საფონდო: 6952

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 150V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

სასურველი
2SA949-Y(T6JVC1,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6JVC1,FM

ნაწილი საფონდო: 7006

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 150V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

სასურველი
2SA949-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-O(TE6,F,M)

ნაწილი საფონდო: 6949

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 150V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

სასურველი
2SA949-Y(JVC1,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(JVC1,F,M)

ნაწილი საფონდო: 6969

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 150V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

სასურველი
2SA1972,T6WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1972,T6WNLF(J

ნაწილი საფონდო: 5673

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

სასურველი
2SA1972,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1972,F(J

ნაწილი საფონდო: 6973

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

სასურველი
2SA1931,SINFQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,SINFQ(J

ნაწილი საფონდო: 7026

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

სასურველი
2SA1931,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,Q(J

ნაწილი საფონდო: 6986

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

სასურველი
2SA1931,NIKKIQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NIKKIQ(J

ნაწილი საფონდო: 6951

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

სასურველი
2SA1931,NSEIKIQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NSEIKIQ(J

ნაწილი საფონდო: 6948

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

სასურველი
2SA1931,NETQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(M

ნაწილი საფონდო: 6957

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

სასურველი
2SA1931,NETQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(J

ნაწილი საფონდო: 6946

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

სასურველი
2SA1931,BOSCHQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,BOSCHQ(J

ნაწილი საფონდო: 6957

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

სასურველი
2SA1931,KEHINQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,KEHINQ(M

ნაწილი საფონდო: 6765

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

სასურველი
2SA1931(NOMARK,A,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931(NOMARK,A,Q

ნაწილი საფონდო: 6941

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

სასურველი
2SA1930,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,Q(J

ნაწილი საფონდო: 7022

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 180V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 5µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

სასურველი
2SA1930,ONKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,ONKQ(J

ნაწილი საფონდო: 6775

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 180V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 5µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

სასურველი
2SA1930,CKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,CKQ(J

ნაწილი საფონდო: 6939

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 180V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 5µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

სასურველი
2SA1930,LBS2DIAQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,LBS2DIAQ(J

ნაწილი საფონდო: 7019

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 180V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 5µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

სასურველი
2SA1930(ONK,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(ONK,Q,M)

ნაწილი საფონდო: 6989

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 180V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 5µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

სასურველი
2SA1930(LBS2MATQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(LBS2MATQ,M

ნაწილი საფონდო: 6940

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 180V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 5µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

სასურველი
2SA1869-Y,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,Q(J

ნაწილი საფონდო: 7005

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

სასურველი
2SA1869-Y,MTSAQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,MTSAQ(J

ნაწილი საფონდო: 6727

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

სასურველი
2SA1869-Y(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(Q,M)

ნაწილი საფონდო: 7004

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

სასურველი
2SA1869-Y(JKT,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(JKT,Q,M)

ნაწილი საფონდო: 6990

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

სასურველი
2SA1837,YHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(M

ნაწილი საფონდო: 6947

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 230V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

სასურველი
2SA1837,YHF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(J

ნაწილი საფონდო: 6752

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 230V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

სასურველი
2SA1837,WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,WNLF(J

ნაწილი საფონდო: 6966

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 230V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

სასურველი
2SA1837,TOA1F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,TOA1F(J

ნაწილი საფონდო: 6942

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 230V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

სასურველი
2SA1837,NSEIKIF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,NSEIKIF(J

ნაწილი საფონდო: 6984

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 230V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

სასურველი