Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას
RN4908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4908(T5L,F,T)

ნაწილი საფონდო: 1464

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN2510(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2510(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 165485

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

სასურველი
RN2963FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2963FE(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 1465

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN1971TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1971TE85LF

ნაწილი საფონდო: 155643

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

სასურველი
RN2702TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2702TE85LF

ნაწილი საფონდო: 1499

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN1970(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1970(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 141176

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

სასურველი
RN4904,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4904,LF

ნაწილი საფონდო: 127121

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN2904FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2904FE,LF

ნაწილი საფონდო: 157116

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN2969FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2969FE(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 1479

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN1902T5LFT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1902T5LFT

ნაწილი საფონდო: 1369

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN2906(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2906(T5L,F,T)

ნაწილი საფონდო: 1511

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN49A1(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN49A1(T5L,F,T)

ნაწილი საფონდო: 1486

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN1911(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1911(T5L,F,T)

ნაწილი საფონდო: 1493

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

სასურველი
RN4909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4909(T5L,F,T)

ნაწილი საფონდო: 1458

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN1673(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1673(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 1534

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

სასურველი
RN1606(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1606(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 9937

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN4611(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4611(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 141210

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

სასურველი
RN2909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2909(T5L,F,T)

ნაწილი საფონდო: 3152

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN1704JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1704JE(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 146002

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN1966FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1966FE(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 140649

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN4605(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4605(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 128492

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN1907,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1907,LF

ნაწილი საფონდო: 1491

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN4991(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4991(T5L,F,T)

ნაწილი საფონდო: 171762

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

სასურველი
RN1906(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1906(T5L,F,T)

ნაწილი საფონდო: 1452

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN2967FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2967FE(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 1533

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN4981,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4981,LF(CT

ნაწილი საფონდო: 159039

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN2904(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2904(T5L,F,T)

ნაწილი საფონდო: 3155

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN2970FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2970FE(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 1533

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

სასურველი
RN1904FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1904FE,LF(CT

ნაწილი საფონდო: 146960

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN2506(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2506(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 140285

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN2909FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2909FE(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 142836

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN2904,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2904,LF

ნაწილი საფონდო: 1534

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN2971FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2971FE(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 1487

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

სასურველი
RN2902FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2902FE,LF(CT

ნაწილი საფონდო: 175632

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN4907(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4907(T5L,F,T)

ნაწილი საფონდო: 1537

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN1965FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1965FE(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 1382

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი