Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა
RN2104(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104(T5L,F,T)

ნაწილი საფონდო: 2145

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN2402,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2402,LF

ნაწილი საფონდო: 90

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN2413TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2413TE85LF

ნაწილი საფონდო: 186078

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

სასურველი
RN2119MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2119MFV(TPL3)

ნაწილი საფონდო: 2192

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 1 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

სასურველი
RN2305(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2305(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 178191

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN1104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104MFV,L3F

ნაწილი საფონდო: 171892

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN1304,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1304,LF

ნაწილი საფონდო: 189

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN1405,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1405,LF

ნაწილი საფონდო: 146891

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN1404,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1404,LF

ნაწილი საფონდო: 81

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN1105,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105,LF(CT

ნაწილი საფონდო: 162509

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN1117MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1117MFV,L3F

ნაწილი საფონდო: 165156

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN2111MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111MFV,L3F

ნაწილი საფონდო: 146

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

სასურველი
RN1310(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1310(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 2124

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

სასურველი
RN2309(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2309(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 2193

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN2114(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2114(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 128

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 1 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN2130MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2130MFV,L3F

ნაწილი საფონდო: 188

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 100 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 100 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN1110MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110MFV,L3F

ნაწილი საფონდო: 102439

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

სასურველი
RN2311(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2311(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 3308

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

სასურველი
RN2306,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2306,LF

ნაწილი საფონდო: 166487

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN1110(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110(T5L,F,T)

ნაწილი საფონდო: 3223

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

სასურველი
RN2312(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2312(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 147502

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

სასურველი
RN1412TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1412TE85LF

ნაწილი საფონდო: 2025

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

სასურველი
RN2105MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105MFV,L3F

ნაწილი საფონდო: 1951

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN1404S,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1404S,LF

ნაწილი საფონდო: 135884

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN2402S,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2402S,LF

ნაწილი საფონდო: 1906

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN1110CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110CT(TPL3)

ნაწილი საფონდო: 3274

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

სასურველი
RN1102ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102ACT(TPL3)

ნაწილი საფონდო: 3264

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN2101,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101,LF(CT

ნაწილი საფონდო: 123572

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN2307(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2307(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 1971

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN1107,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107,LF(CT

ნაწილი საფონდო: 197244

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN2112CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112CT(TPL3)

ნაწილი საფონდო: 3192

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

სასურველი
RN1102CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102CT(TPL3)

ნაწილი საფონდო: 1945

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN1109(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109(T5L,F,T)

ნაწილი საფონდო: 3219

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN1303(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1303(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 1973

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN1106CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106CT(TPL3)

ნაწილი საფონდო: 1960

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

სასურველი
RN1118(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1118(T5L,F,T)

ნაწილი საფონდო: 1923

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

სასურველი