დიოდები - გამსწორებლები - მასივები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 2

BAV70,LM

ნაწილი საფონდო: 3367

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 215mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 150mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

BAV99W,LF

ნაწილი საფონდო: 3300

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 150mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

BAV99,LM

ნაწილი საფონდო: 3315

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 215mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 150mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S02JE(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 151

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S01FUTE85LF

ნაწილი საფონდო: 111

დიოდის კონფიგურაცია: 3 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 10V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02F(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 99

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D01F(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 125

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV99,LM

ნაწილი საფონდო: 196401

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 150mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS12N65D,S1F

ნაწილი საფონდო: 12490

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 6A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FTE85LF

ნაწილი საფონდო: 146

დიოდის კონფიგურაცია: 3 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS16N65D,S1F

ნაწილი საფონდო: 10959

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01JE(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 109

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54C,LM

ნაწილი საფონდო: 106201

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 140mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D03FTE85LF

ნაწილი საფონდო: 105421

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Pair CA + CC, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D03FU,LF

ნაწილი საფონდო: 159197

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Pair CA + CC, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV70,LM

ნაწილი საფონდო: 171499

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 215mA, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS24N65D,S1F

ნაწილი საფონდო: 8001

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 12A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS20N65D,S1F

ნაწილი საფონდო: 7444

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D01FE(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 191091

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03FUTE85LF

ნაწილი საფონდო: 124987

დიოდის კონფიგურაცია: 3 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 50mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D04FUTE85LF

ნაწილი საფონდო: 130979

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02FU(T5L,F,T)

ნაწილი საფონდო: 4548

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FU(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 166431

დიოდის კონფიგურაცია: 3 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D03F(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 170816

დიოდის კონფიგურაცია: 3 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

CVJ10F30,LF

ნაწილი საფონდო: 16260

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02FU,LF

ნაწილი საფონდო: 191404

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAW56,LM

ნაწილი საფონდო: 127689

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 215mA, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03T(TE85L)

ნაწილი საფონდო: 4160

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 50mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03FE(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 4087

დიოდის კონფიგურაცია: 3 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 50mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

U20DL2C48A(TE24L,Q

ნაწილი საფონდო: 3899

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 980mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54A,LM

ნაწილი საფონდო: 120020

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54S,LM

ნაწილი საფონდო: 167920

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი