ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

H8750KBYA

H8750KBYA

ნაწილი საფონდო: 110153

წინააღმდეგობა: 750 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H840R2BYA

H840R2BYA

ნაწილი საფონდო: 110129

წინააღმდეგობა: 40.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8681KBYA

H8681KBYA

ნაწილი საფონდო: 110122

წინააღმდეგობა: 681 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8825KBYA

H8825KBYA

ნაწილი საფონდო: 110075

წინააღმდეგობა: 825 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
C718RJT

C718RJT

ნაწილი საფონდო: 78897

წინააღმდეგობა: 18 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 7W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
H864K9BYA

H864K9BYA

ნაწილი საფონდო: 110072

წინააღმდეგობა: 64.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H81K24BYA

H81K24BYA

ნაწილი საფონდო: 110075

წინააღმდეგობა: 1.24 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H875RBYA

H875RBYA

ნაწილი საფონდო: 110094

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H895R3BYA

H895R3BYA

ნაწილი საფონდო: 110082

წინააღმდეგობა: 95.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
C751RJT

C751RJT

ნაწილი საფონდო: 78930

წინააღმდეგობა: 51 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 7W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
H837R4BYA

H837R4BYA

ნაწილი საფონდო: 110125

წინააღმდეგობა: 37.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H849R9BYA

H849R9BYA

ნაწილი საფონდო: 110088

წინააღმდეგობა: 49.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8301KBYA

H8301KBYA

ნაწილი საფონდო: 110085

წინააღმდეგობა: 301 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H857R6BYA

H857R6BYA

ნაწილი საფონდო: 110157

წინააღმდეგობა: 57.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H81K33BYA

H81K33BYA

ნაწილი საფონდო: 110142

წინააღმდეგობა: 1.33 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8845KBYA

H8845KBYA

ნაწილი საფონდო: 110110

წინააღმდეგობა: 845 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8226KBYA

H8226KBYA

ნაწილი საფონდო: 110103

წინააღმდეგობა: 226 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8422RBYA

H8422RBYA

ნაწილი საფონდო: 110073

წინააღმდეგობა: 422 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H813R7BYA

H813R7BYA

ნაწილი საფონდო: 110090

წინააღმდეგობა: 13.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H82K8BYA

H82K8BYA

ნაწილი საფონდო: 110136

წინააღმდეგობა: 2.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H814R3BYA

H814R3BYA

ნაწილი საფონდო: 110122

წინააღმდეგობა: 14.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H81K13BYA

H81K13BYA

ნაწილი საფონდო: 110150

წინააღმდეგობა: 1.13 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H834R8BYA

H834R8BYA

ნაწილი საფონდო: 110109

წინააღმდეგობა: 34.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8174KBYA

H8174KBYA

ნაწილი საფონდო: 110105

წინააღმდეგობა: 174 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H83K16BYA

H83K16BYA

ნაწილი საფონდო: 110119

წინააღმდეგობა: 3.16 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H843K2BYA

H843K2BYA

ნაწილი საფონდო: 110096

წინააღმდეგობა: 43.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8348KBYA

H8348KBYA

ნაწილი საფონდო: 110087

წინააღმდეგობა: 348 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8931RBYA

H8931RBYA

ნაწილი საფონდო: 110112

წინააღმდეგობა: 931 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8115RBYA

H8115RBYA

ნაწილი საფონდო: 110124

წინააღმდეგობა: 115 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8487RBYA

H8487RBYA

ნაწილი საფონდო: 110152

წინააღმდეგობა: 487 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H818K7BYA

H818K7BYA

ნაწილი საფონდო: 110075

წინააღმდეგობა: 18.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H893R1BYA

H893R1BYA

ნაწილი საფონდო: 110151

წინააღმდეგობა: 93.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H838R3BYA

H838R3BYA

ნაწილი საფონდო: 110109

წინააღმდეგობა: 38.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8154KBYA

H8154KBYA

ნაწილი საფონდო: 110092

წინააღმდეგობა: 154 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H853R6BYA

H853R6BYA

ნაწილი საფონდო: 110083

წინააღმდეგობა: 53.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H814KBYA

H814KBYA

ნაწილი საფონდო: 110144

წინააღმდეგობა: 14 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი