ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

H816R9BYA

H816R9BYA

ნაწილი საფონდო: 110136

წინააღმდეგობა: 16.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8287RBYA

H8287RBYA

ნაწილი საფონდო: 110102

წინააღმდეგობა: 287 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8200KBYA

H8200KBYA

ნაწილი საფონდო: 110158

წინააღმდეგობა: 200 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H84K32BYA

H84K32BYA

ნაწილი საფონდო: 110075

წინააღმდეგობა: 4.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8590KBYA

H8590KBYA

ნაწილი საფონდო: 110134

წინააღმდეგობა: 590 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H839RBYA

H839RBYA

ნაწილი საფონდო: 110094

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8255RBYA

H8255RBYA

ნაწილი საფონდო: 110140

წინააღმდეგობა: 255 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H82K67BYA

H82K67BYA

ნაწილი საფონდო: 110127

წინააღმდეგობა: 2.67 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8332KBYA

H8332KBYA

ნაწილი საფონდო: 110163

წინააღმდეგობა: 332 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H83K01BYA

H83K01BYA

ნაწილი საფონდო: 110089

წინააღმდეგობა: 3.01 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8665RBYA

H8665RBYA

ნაწილი საფონდო: 110149

წინააღმდეგობა: 665 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H84K02BYA

H84K02BYA

ნაწილი საფონდო: 110106

წინააღმდეგობა: 4.02 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8383RBYA

H8383RBYA

ნაწილი საფონდო: 110137

წინააღმდეგობა: 383 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H83K57BYA

H83K57BYA

ნაწილი საფონდო: 110118

წინააღმდეგობა: 3.57 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8931KBYA

H8931KBYA

ნაწილი საფონდო: 110151

წინააღმდეგობა: 931 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H897R6BYA

H897R6BYA

ნაწილი საფონდო: 110141

წინააღმდეგობა: 97.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8562RBYA

H8562RBYA

ნაწილი საფონდო: 110118

წინააღმდეგობა: 562 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8787KBYA

H8787KBYA

ნაწილი საფონდო: 110103

წინააღმდეგობა: 787 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H86K81BYA

H86K81BYA

ნაწილი საფონდო: 110128

წინააღმდეგობა: 6.81 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H871R5BYA

H871R5BYA

ნაწილი საფონდო: 110075

წინააღმდეგობა: 71.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8750RBYA

H8750RBYA

ნაწილი საფონდო: 110068

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8121RBYA

H8121RBYA

ნაწილი საფონდო: 110086

წინააღმდეგობა: 121 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8649RBYA

H8649RBYA

ნაწილი საფონდო: 110098

წინააღმდეგობა: 649 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8294KBYA

H8294KBYA

ნაწილი საფონდო: 110066

წინააღმდეგობა: 294 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H81K5BYA

H81K5BYA

ნაწილი საფონდო: 110084

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8158RBYA

H8158RBYA

ნაწილი საფონდო: 110109

წინააღმდეგობა: 158 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8143KBYA

H8143KBYA

ნაწილი საფონდო: 110107

წინააღმდეგობა: 143 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H852R3BYA

H852R3BYA

ნაწილი საფონდო: 110090

წინააღმდეგობა: 52.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8110KBYA

H8110KBYA

ნაწილი საფონდო: 110139

წინააღმდეგობა: 110 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H815R4BYA

H815R4BYA

ნაწილი საფონდო: 110157

წინააღმდეგობა: 15.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H811R5BYA

H811R5BYA

ნაწილი საფონდო: 110086

წინააღმდეგობა: 11.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H84K64BYA

H84K64BYA

ნაწილი საფონდო: 110076

წინააღმდეგობა: 4.64 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H81K2BYA

H81K2BYA

ნაწილი საფონდო: 110078

წინააღმდეგობა: 1.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H859KBYA

H859KBYA

ნაწილი საფონდო: 110128

წინააღმდეგობა: 59 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H886K6BYA

H886K6BYA

ნაწილი საფონდო: 110079

წინააღმდეგობა: 86.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H882K5BYA

H882K5BYA

ნაწილი საფონდო: 110160

წინააღმდეგობა: 82.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი