ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

H8432KBYA

H8432KBYA

ნაწილი საფონდო: 110073

წინააღმდეგობა: 432 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8523KBYA

H8523KBYA

ნაწილი საფონდო: 110150

წინააღმდეგობა: 523 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H85K62BYA

H85K62BYA

ნაწილი საფონდო: 110097

წინააღმდეგობა: 5.62 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8590RBYA

H8590RBYA

ნაწილი საფონდო: 110124

წინააღმდეგობა: 590 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H812R1BYA

H812R1BYA

ნაწილი საფონდო: 110112

წინააღმდეგობა: 12.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
C7R51JT

C7R51JT

ნაწილი საფონდო: 78933

წინააღმდეგობა: 510 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 7W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
H813R3BYA

H813R3BYA

ნაწილი საფონდო: 110136

წინააღმდეგობა: 13.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H846K4BYA

H846K4BYA

ნაწილი საფონდო: 110093

წინააღმდეგობა: 46.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8487KBYA

H8487KBYA

ნაწილი საფონდო: 110133

წინააღმდეგობა: 487 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H83K74BYA

H83K74BYA

ნაწილი საფონდო: 110137

წინააღმდეგობა: 3.74 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H88K66BYA

H88K66BYA

ნაწილი საფონდო: 110098

წინააღმდეგობა: 8.66 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8133RBYA

H8133RBYA

ნაწილი საფონდო: 110094

წინააღმდეგობა: 133 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H84K53BYA

H84K53BYA

ნაწილი საფონდო: 110110

წინააღმდეგობა: 4.53 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8127KBYA

H8127KBYA

ნაწილი საფონდო: 110102

წინააღმდეგობა: 127 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8115KBYA

H8115KBYA

ნაწილი საფონდო: 110128

წინააღმდეგობა: 115 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H819K1BYA

H819K1BYA

ნაწილი საფონდო: 110161

წინააღმდეგობა: 19.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H815K8BYA

H815K8BYA

ნაწილი საფონდო: 110132

წინააღმდეგობა: 15.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H84K12BYA

H84K12BYA

ნაწილი საფონდო: 110090

წინააღმდეგობა: 4.12 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H812R7BYA

H812R7BYA

ნაწილი საფონდო: 110100

წინააღმდეგობა: 12.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8140RBYA

H8140RBYA

ნაწილი საფონდო: 110139

წინააღმდეგობა: 140 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H848K7BYA

H848K7BYA

ნაწილი საფონდო: 110102

წინააღმდეგობა: 48.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H824R3BYA

H824R3BYA

ნაწილი საფონდო: 110138

წინააღმდეგობა: 24.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H81K91BYA

H81K91BYA

ნაწილი საფონდო: 110124

წინააღმდეგობა: 1.91 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8374RBYA

H8374RBYA

ნაწილი საფონდო: 110098

წინააღმდეგობა: 374 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H812K7BYA

H812K7BYA

ნაწილი საფონდო: 110144

წინააღმდეგობა: 12.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H81K65BYA

H81K65BYA

ნაწილი საფონდო: 110128

წინააღმდეგობა: 1.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8634RBYA

H8634RBYA

ნაწილი საფონდო: 110143

წინააღმდეგობა: 634 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8475RBYA

H8475RBYA

ნაწილი საფონდო: 110071

წინააღმდეგობა: 475 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8715RBYA

H8715RBYA

ნაწილი საფონდო: 110133

წინააღმდეგობა: 715 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8255KBYA

H8255KBYA

ნაწილი საფონდო: 110159

წინააღმდეგობა: 255 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
C75R1JT

C75R1JT

ნაწილი საფონდო: 78904

წინააღმდეგობა: 5.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 7W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
H811KBYA

H811KBYA

ნაწილი საფონდო: 110148

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H826R7BYA

H826R7BYA

ნაწილი საფონდო: 110070

წინააღმდეგობა: 26.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H828RBYA

H828RBYA

ნაწილი საფონდო: 110065

წინააღმდეგობა: 28 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8221KBYA

H8221KBYA

ნაწილი საფონდო: 110089

წინააღმდეგობა: 221 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H853K6BYA

H853K6BYA

ნაწილი საფონდო: 110141

წინააღმდეგობა: 53.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი