ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

H8196RBYA

H8196RBYA

ნაწილი საფონდო: 110136

წინააღმდეგობა: 196 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8412KBYA

H8412KBYA

ნაწილი საფონდო: 110138

წინააღმდეგობა: 412 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8280KBYA

H8280KBYA

ნაწილი საფონდო: 110081

წინააღმდეგობა: 280 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
C72K0JT

C72K0JT

ნაწილი საფონდო: 78933

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 7W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
H860K4BYA

H860K4BYA

ნაწილი საფონდო: 110105

წინააღმდეგობა: 60.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8165RBYA

H8165RBYA

ნაწილი საფონდო: 110097

წინააღმდეგობა: 165 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H816R2BYA

H816R2BYA

ნაწილი საფონდო: 110149

წინააღმდეგობა: 16.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H814K7BYA

H814K7BYA

ნაწილი საფონდო: 110136

წინააღმდეგობა: 14.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H819R1BYA

H819R1BYA

ნაწილი საფონდო: 110069

წინააღმდეგობა: 19.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8464KBYA

H8464KBYA

ნაწილი საფონდო: 110117

წინააღმდეგობა: 464 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H82K74BYA

H82K74BYA

ნაწილი საფონდო: 110140

წინააღმდეგობა: 2.74 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8768KBYA

H8768KBYA

ნაწილი საფონდო: 110134

წინააღმდეგობა: 768 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8205KBYA

H8205KBYA

ნაწილი საფონდო: 110084

წინააღმდეგობა: 205 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8110RBYA

H8110RBYA

ნაწილი საფონდო: 110081

წინააღმდეგობა: 110 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8150KBYA

H8150KBYA

ნაწილი საფონდო: 110110

წინააღმდეგობა: 150 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8102RBYA

H8102RBYA

ნაწილი საფონდო: 110131

წინააღმდეგობა: 102 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H813KBYA

H813KBYA

ნაწილი საფონდო: 110091

წინააღმდეგობა: 13 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8511RBYA

H8511RBYA

ნაწილი საფონდო: 110084

წინააღმდეგობა: 511 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8316RBYA

H8316RBYA

ნაწილი საფონდო: 110083

წინააღმდეგობა: 316 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8392KBYA

H8392KBYA

ნაწილი საფონდო: 110097

წინააღმდეგობა: 392 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H816K5BYA

H816K5BYA

ნაწილი საფონდო: 110151

წინააღმდეგობა: 16.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8511KBYA

H8511KBYA

ნაწილი საფონდო: 110080

წინააღმდეგობა: 511 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H810K2BYA

H810K2BYA

ნაწილი საფონდო: 110141

წინააღმდეგობა: 10.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H81K37BYA

H81K37BYA

ნაწილი საფონდო: 110162

წინააღმდეგობა: 1.37 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H85K23BYA

H85K23BYA

ნაწილი საფონდო: 110155

წინააღმდეგობა: 5.23 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H817R8BYA

H817R8BYA

ნაწილი საფონდო: 110127

წინააღმდეგობა: 17.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H816K2BYA

H816K2BYA

ნაწილი საფონდო: 110109

წინააღმდეგობა: 16.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H834RBYA

H834RBYA

ნაწილი საფონდო: 110157

წინააღმდეგობა: 34 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H826R1BYA

H826R1BYA

ნაწილი საფონდო: 110086

წინააღმდეგობა: 26.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H819K6BYA

H819K6BYA

ნაწილი საფონდო: 110158

წინააღმდეგობა: 19.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8147KBYA

H8147KBYA

ნაწილი საფონდო: 110113

წინააღმდეგობა: 147 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8243KBYA

H8243KBYA

ნაწილი საფონდო: 110123

წინააღმდეგობა: 243 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8205RBYA

H8205RBYA

ნაწილი საფონდო: 110079

წინააღმდეგობა: 205 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H8732RBYA

H8732RBYA

ნაწილი საფონდო: 110141

წინააღმდეგობა: 732 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H842R2BYA

H842R2BYA

ნაწილი საფონდო: 110115

წინააღმდეგობა: 42.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
H84K87BYA

H84K87BYA

ნაწილი საფონდო: 110124

წინააღმდეგობა: 4.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი