ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

H473R2BDA

H473R2BDA

ნაწილი საფონდო: 81562

წინააღმდეგობა: 73.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H41K3BDA

H41K3BDA

ნაწილი საფონდო: 81552

წინააღმდეგობა: 1.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4191KBDA

H4191KBDA

ნაწილი საფონდო: 81625

წინააღმდეგობა: 191 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H415K4BDA

H415K4BDA

ნაწილი საფონდო: 81617

წინააღმდეგობა: 15.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H849R9FAA

H849R9FAA

ნაწილი საფონდო: 82191

წინააღმდეგობა: 49.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
H44K75BDA

H44K75BDA

ნაწილი საფონდო: 81576

წინააღმდეგობა: 4.75 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4750KBDA

H4750KBDA

ნაწილი საფონდო: 81557

წინააღმდეგობა: 750 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ER5820KJT

ER5820KJT

ნაწილი საფონდო: 101192

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 7W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +60ppm/°C,

სასურველი
H423R2BDA

H423R2BDA

ნაწილი საფონდო: 81546

წინააღმდეგობა: 23.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4562RBDA

H4562RBDA

ნაწილი საფონდო: 81529

წინააღმდეგობა: 562 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H414R7BDA

H414R7BDA

ნაწილი საფონდო: 81626

წინააღმდეგობა: 14.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4590RBDA

H4590RBDA

ნაწილი საფონდო: 81530

წინააღმდეგობა: 590 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H464K9BDA

H464K9BDA

ნაწილი საფონდო: 81563

წინააღმდეგობა: 64.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H428RBDA

H428RBDA

ნაწილი საფონდო: 81605

წინააღმდეგობა: 28 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4110KBDA

H4110KBDA

ნაწილი საფონდო: 81610

წინააღმდეგობა: 110 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4953KBDA

H4953KBDA

ნაწილი საფონდო: 81561

წინააღმდეგობა: 953 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4174KBDA

H4174KBDA

ნაწილი საფონდო: 81564

წინააღმდეგობა: 174 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H423R7BDA

H423R7BDA

ნაწილი საფონდო: 81589

წინააღმდეგობა: 23.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H48K66BDA

H48K66BDA

ნაწილი საფონდო: 81535

წინააღმდეგობა: 8.66 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4232KBDA

H4232KBDA

ნაწილი საფონდო: 81603

წინააღმდეგობა: 232 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
EP5W1K5J

EP5W1K5J

ნაწილი საფონდო: 180166

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Flame Retardant Coating, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
H43K32BDA

H43K32BDA

ნაწილი საფონდო: 81541

წინააღმდეგობა: 3.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H464R9BDA

H464R9BDA

ნაწილი საფონდო: 81603

წინააღმდეგობა: 64.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H48K06BDA

H48K06BDA

ნაწილი საფონდო: 81554

წინააღმდეგობა: 8.06 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4150KBDA

H4150KBDA

ნაწილი საფონდო: 81590

წინააღმდეგობა: 150 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4243KBDA

H4243KBDA

ნაწილი საფონდო: 81530

წინააღმდეგობა: 243 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H429K4BDA

H429K4BDA

ნაწილი საფონდო: 81570

წინააღმდეგობა: 29.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H430R9BDA

H430R9BDA

ნაწილი საფონდო: 81536

წინააღმდეგობა: 30.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
SQZW1027RJ

SQZW1027RJ

ნაწილი საფონდო: 164637

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
H4732KBDA

H4732KBDA

ნაწილი საფონდო: 81549

წინააღმდეგობა: 732 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H47K15BDA

H47K15BDA

ნაწილი საფონდო: 81537

წინააღმდეგობა: 7.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4412RBDA

H4412RBDA

ნაწილი საფონდო: 81554

წინააღმდეგობა: 412 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4953RBDA

H4953RBDA

ნაწილი საფონდო: 81539

წინააღმდეგობა: 953 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H44K32BDA

H44K32BDA

ნაწილი საფონდო: 81549

წინააღმდეგობა: 4.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
EP5W1K0J

EP5W1K0J

ნაწილი საფონდო: 157126

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Flame Retardant Coating, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
H456R2BDA

H456R2BDA

ნაწილი საფონდო: 81608

წინააღმდეგობა: 56.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი