ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

H41K24BDA

H41K24BDA

ნაწილი საფონდო: 81626

წინააღმდეგობა: 1.24 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4249RBDA

H4249RBDA

ნაწილი საფონდო: 81601

წინააღმდეგობა: 249 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4102KBDA

H4102KBDA

ნაწილი საფონდო: 81616

წინააღმდეგობა: 102 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H410K7BDA

H410K7BDA

ნაწილი საფონდო: 81538

წინააღმდეგობა: 10.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H45K23BDA

H45K23BDA

ნაწილი საფონდო: 81535

წინააღმდეგობა: 5.23 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H84K99FAA

H84K99FAA

ნაწილი საფონდო: 82226

წინააღმდეგობა: 4.99 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
H44K02BDA

H44K02BDA

ნაწილი საფონდო: 81542

წინააღმდეგობა: 4.02 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H431R6BDA

H431R6BDA

ნაწილი საფონდო: 81554

წინააღმდეგობა: 31.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
SQZW1015RJ

SQZW1015RJ

ნაწილი საფონდო: 169233

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
H4348KBDA

H4348KBDA

ნაწილი საფონდო: 81604

წინააღმდეგობა: 348 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H445K3BDA

H445K3BDA

ნაწილი საფონდო: 81598

წინააღმდეგობა: 45.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H41K65BDA

H41K65BDA

ნაწილი საფონდო: 81619

წინააღმდეგობა: 1.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
SQZW1012RJ

SQZW1012RJ

ნაწილი საფონდო: 182614

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
H424R9BDA

H424R9BDA

ნაწილი საფონდო: 81605

წინააღმდეგობა: 24.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H446R4BDA

H446R4BDA

ნაწილი საფონდო: 81594

წინააღმდეგობა: 46.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4845RBDA

H4845RBDA

ნაწილი საფონდო: 81625

წინააღმდეგობა: 845 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H416K9BDA

H416K9BDA

ნაწილი საფონდო: 81547

წინააღმდეგობა: 16.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H497R6BDA

H497R6BDA

ნაწილი საფონდო: 81574

წინააღმდეგობა: 97.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4143RBDA

H4143RBDA

ნაწილი საფონდო: 81600

წინააღმდეგობა: 143 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4301RBDA

H4301RBDA

ნაწილი საფონდო: 81538

წინააღმდეგობა: 301 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4107KBDA

H4107KBDA

ნაწილი საფონდო: 81622

წინააღმდეგობა: 107 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4147RBDA

H4147RBDA

ნაწილი საფონდო: 81592

წინააღმდეგობა: 147 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H434K8BDA

H434K8BDA

ნაწილი საფონდო: 81549

წინააღმდეგობა: 34.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4137KBDA

H4137KBDA

ნაწილი საფონდო: 81620

წინააღმდეგობა: 137 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H414RBDA

H414RBDA

ნაწილი საფონდო: 81617

წინააღმდეგობა: 14 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4210KBDA

H4210KBDA

ნაწილი საფონდო: 81624

წინააღმდეგობა: 210 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4215KBDA

H4215KBDA

ნაწილი საფონდო: 81602

წინააღმდეგობა: 215 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H41K54BDA

H41K54BDA

ნაწილი საფონდო: 81611

წინააღმდეგობა: 1.54 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H41K96BDA

H41K96BDA

ნაწილი საფონდო: 81618

წინააღმდეგობა: 1.96 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4402KBDA

H4402KBDA

ნაწილი საფონდო: 81558

წინააღმდეგობა: 402 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4332RBDA

H4332RBDA

ნაწილი საფონდო: 81563

წინააღმდეგობა: 332 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
SQZW1022RJ

SQZW1022RJ

ნაწილი საფონდო: 162207

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
H419R6BDA

H419R6BDA

ნაწილი საფონდო: 81578

წინააღმდეგობა: 19.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4715KBDA

H4715KBDA

ნაწილი საფონდო: 81604

წინააღმდეგობა: 715 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H410K2BDA

H410K2BDA

ნაწილი საფონდო: 81581

წინააღმდეგობა: 10.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H476R8BDA

H476R8BDA

ნაწილი საფონდო: 81532

წინააღმდეგობა: 76.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი