ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

H4187RBDA

H4187RBDA

ნაწილი საფონდო: 81529

წინააღმდეგობა: 187 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4866KBDA

H4866KBDA

ნაწილი საფონდო: 81585

წინააღმდეგობა: 866 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H48K45BDA

H48K45BDA

ნაწილი საფონდო: 81620

წინააღმდეგობა: 8.45 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4182RBDA

H4182RBDA

ნაწილი საფონდო: 81624

წინააღმდეგობა: 182 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H46K19BDA

H46K19BDA

ნაწილი საფონდო: 81565

წინააღმდეგობა: 6.19 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4121KBDA

H4121KBDA

ნაწილი საფონდო: 81589

წინააღმდეგობა: 121 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4121RBDA

H4121RBDA

ნაწილი საფონდო: 81612

წინააღმდეგობა: 121 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ER5810KJT

ER5810KJT

ნაწილი საფონდო: 101195

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 7W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +60ppm/°C,

სასურველი
H4294RBDA

H4294RBDA

ნაწილი საფონდო: 81556

წინააღმდეგობა: 294 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4383KBDA

H4383KBDA

ნაწილი საფონდო: 81595

წინააღმდეგობა: 383 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H43K09BDA

H43K09BDA

ნაწილი საფონდო: 81603

წინააღმდეგობა: 3.09 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ER586K8JT

ER586K8JT

ნაწილი საფონდო: 101155

წინააღმდეგობა: 6.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 7W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +60ppm/°C,

სასურველი
H4130RBDA

H4130RBDA

ნაწილი საფონდო: 81602

წინააღმდეგობა: 130 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H43K92BDA

H43K92BDA

ნაწილი საფონდო: 81580

წინააღმდეგობა: 3.92 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H420KBDA

H420KBDA

ნაწილი საფონდო: 81603

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4309KBDA

H4309KBDA

ნაწილი საფონდო: 81611

წინააღმდეგობა: 309 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H439K2BDA

H439K2BDA

ნაწილი საფონდო: 81542

წინააღმდეგობა: 39.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H461K9BDA

H461K9BDA

ნაწილი საფონდო: 81529

წინააღმდეგობა: 61.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H45K11BDA

H45K11BDA

ნაწილი საფონდო: 81604

წინააღმდეგობა: 5.11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H41M0BDA

H41M0BDA

ნაწილი საფონდო: 81566

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H41K33BDA

H41K33BDA

ნაწილი საფონდო: 81623

წინააღმდეგობა: 1.33 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4165RBDA

H4165RBDA

ნაწილი საფონდო: 81558

წინააღმდეგობა: 165 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H415K8BDA

H415K8BDA

ნაწილი საფონდო: 81582

წინააღმდეგობა: 15.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H42K1BDA

H42K1BDA

ნაწილი საფონდო: 81547

წინააღმდეგობა: 2.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H413KBDA

H413KBDA

ნაწილი საფონდო: 81536

წინააღმდეგობა: 13 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H447R5BDA

H447R5BDA

ნაწილი საფონდო: 81547

წინააღმდეგობა: 47.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H47K5BDA

H47K5BDA

ნაწილი საფონდო: 81613

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H410RBDA

H410RBDA

ნაწილი საფონდო: 81530

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H41K4BDA

H41K4BDA

ნაწილი საფონდო: 81535

წინააღმდეგობა: 1.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H471K5BDA

H471K5BDA

ნაწილი საფონდო: 81539

წინააღმდეგობა: 71.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
CCR133RKTB

CCR133RKTB

ნაწილი საფონდო: 88423

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Ceramic, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1300ppm/°C,

სასურველი
H435K7BDA

H435K7BDA

ნაწილი საფონდო: 81624

წინააღმდეგობა: 35.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H411K5BDA

H411K5BDA

ნაწილი საფონდო: 81593

წინააღმდეგობა: 11.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4825RBDA

H4825RBDA

ნაწილი საფონდო: 81547

წინააღმდეგობა: 825 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H440R2BDA

H440R2BDA

ნაწილი საფონდო: 81574

წინააღმდეგობა: 40.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H418R7BDA

H418R7BDA

ნაწილი საფონდო: 81551

წინააღმდეგობა: 18.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი