ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

H452K3BDA

H452K3BDA

ნაწილი საფონდო: 81544

წინააღმდეგობა: 52.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H482K5BDA

H482K5BDA

ნაწილი საფონდო: 81593

წინააღმდეგობა: 82.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H430K1BDA

H430K1BDA

ნაწილი საფონდო: 81602

წინააღმდეგობა: 30.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H430R1BDA

H430R1BDA

ნაწილი საფონდო: 81603

წინააღმდეგობა: 30.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4169RBDA

H4169RBDA

ნაწილი საფონდო: 81614

წინააღმდეგობა: 169 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4287KBDA

H4287KBDA

ნაწილი საფონდო: 81592

წინააღმდეგობა: 287 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H41K5BDA

H41K5BDA

ნაწილი საფონდო: 81591

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H475KBDA

H475KBDA

ნაწილი საფონდო: 81552

წინააღმდეგობა: 75 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H410K5BDA

H410K5BDA

ნაწილი საფონდო: 81605

წინააღმდეგობა: 10.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H45K62BDA

H45K62BDA

ნაწილი საფონდო: 81568

წინააღმდეგობა: 5.62 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4187KBDA

H4187KBDA

ნაწილი საფონდო: 81547

წინააღმდეგობა: 187 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4402RBDA

H4402RBDA

ნაწილი საფონდო: 81557

წინააღმდეგობა: 402 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H418K7BDA

H418K7BDA

ნაწილი საფონდო: 81605

წინააღმდეგობა: 18.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4340KBDA

H4340KBDA

ნაწილი საფონდო: 81622

წინააღმდეგობა: 340 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H422R6BDA

H422R6BDA

ნაწილი საფონდო: 81583

წინააღმდეგობა: 22.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H412K1BDA

H412K1BDA

ნაწილი საფონდო: 81552

წინააღმდეგობა: 12.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4140KBDA

H4140KBDA

ნაწილი საფონდო: 81586

წინააღმდეგობა: 140 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H442R2BDA

H442R2BDA

ნაწილი საფონდო: 81578

წინააღმდეგობა: 42.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H424R3BDA

H424R3BDA

ნაწილი საფონდო: 81581

წინააღმდეგობა: 24.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H411R8BDA

H411R8BDA

ნაწილი საფონდო: 81603

წინააღმდეგობა: 11.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H434R8BDA

H434R8BDA

ნაწილი საფონდო: 81549

წინააღმდეგობა: 34.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H484R5BDA

H484R5BDA

ნაწილი საფონდო: 81616

წინააღმდეგობა: 84.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4787KBDA

H4787KBDA

ნაწილი საფონდო: 81587

წინააღმდეგობა: 787 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4768KBDA

H4768KBDA

ნაწილი საფონდო: 81552

წინააღმდეგობა: 768 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H41K87BDA

H41K87BDA

ნაწილი საფონდო: 81531

წინააღმდეგობა: 1.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4143KBDA

H4143KBDA

ნაწილი საფონდო: 81569

წინააღმდეგობა: 143 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H422R1BDA

H422R1BDA

ნაწილი საფონდო: 81577

წინააღმდეგობა: 22.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H4340RBDA

H4340RBDA

ნაწილი საფონდო: 81544

წინააღმდეგობა: 340 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H423K2BDA

H423K2BDA

ნაწილი საფონდო: 81532

წინააღმდეგობა: 23.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H457K6BDA

H457K6BDA

ნაწილი საფონდო: 81615

წინააღმდეგობა: 57.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H420K5BDA

H420K5BDA

ნაწილი საფონდო: 81545

წინააღმდეგობა: 20.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
SQZW10180RJ

SQZW10180RJ

ნაწილი საფონდო: 4723

წინააღმდეგობა: 180 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
CCR14R7KT

CCR14R7KT

ნაწილი საფონდო: 88395

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Ceramic, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1300ppm/°C,

სასურველი
H443R2BDA

H443R2BDA

ნაწილი საფონდო: 81579

წინააღმდეგობა: 43.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H413RBDA

H413RBDA

ნაწილი საფონდო: 81591

წინააღმდეგობა: 13 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
H450KBDA

H450KBDA

ნაწილი საფონდო: 81566

წინააღმდეგობა: 50 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი