სოკეტების IC, ტრანზისტორებისთვის

8080-1G10

8080-1G10

ნაწილი საფონდო: 5070

ტიპი: Transistor, TO-3, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Oval), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 30.0µin (0.76µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
8059-2G6

8059-2G6

ნაწილი საფონდო: 5123

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 8 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

სასურველი
8059-4G1

8059-4G1

ნაწილი საფონდო: 5132

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
8059-2G10

8059-2G10

ნაწილი საფონდო: 5057

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 10 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
818-AG11D-ESL

818-AG11D-ESL

ნაწილი საფონდო: 5060

ტიპი: DIP, 0.3" (7.62mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 18 (2 x 9), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: Flash, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

სასურველი
8058-1G49

8058-1G49

ნაწილი საფონდო: 4622

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 8 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
824-AG31D-ES

824-AG31D-ES

ნაწილი საფონდო: 5039

ტიპი: DIP, 0.3" (7.62mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 24 (2 x 12), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin-Lead, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

სასურველი
822064-4

822064-4

ნაწილი საფონდო: 4991

ტიპი: QFP, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 100 (4 x 25), მოედანი - შეწყვილება: 0.025" (0.64mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin-Lead, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 200.0µin (5.08µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Phosphor Bronze,

სასურველი
816-AG12D-ES

816-AG12D-ES

ნაწილი საფონდო: 5002

ტიპი: DIP, 0.3" (7.62mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 16 (2 x 8), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin-Lead, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

სასურველი
808-AG12D

808-AG12D

ნაწილი საფონდო: 4996

ტიპი: DIP, 0.3" (7.62mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 8 (2 x 4), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin-Lead, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

სასურველი
808-AG12SM

808-AG12SM

ნაწილი საფონდო: 8597

ტიპი: DIP, 0.3" (7.62mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 8 (2 x 4), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin-Lead, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

სასურველი
8058-1G45

8058-1G45

ნაწილი საფონდო: 4840

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 8 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
8-1437504-0

8-1437504-0

ნაწილი საფონდო: 4785

ტიპი: Transistor, TO-3, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Oval), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 30.0µin (0.76µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
8-1437504-1

8-1437504-1

ნაწილი საფონდო: 4805

ტიპი: Transistor, TO-3, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Oval), Contact Finish - შეწყვილება: Tin, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
8-1437504-2

8-1437504-2

ნაწილი საფონდო: 4789

ტიპი: Transistor, TO-3, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Oval), Contact Finish - შეწყვილება: Tin, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 200.0µin (5.08µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
8-1437504-3

8-1437504-3

ნაწილი საფონდო: 4812

ტიპი: Transistor, TO-3, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Oval), Contact Finish - შეწყვილება: Tin, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 200.0µin (5.08µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
8-1437504-5

8-1437504-5

ნაწილი საფონდო: 4841

ტიპი: Transistor, TO-3, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Oval), Contact Finish - შეწყვილება: Tin, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
8080-1G3-LF

8080-1G3-LF

ნაწილი საფონდო: 8487

ტიპი: Transistor, TO-3, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Oval), Contact Finish - შეწყვილება: Tin, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 200.0µin (5.08µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
8080-1G2-LF

8080-1G2-LF

ნაწილი საფონდო: 4859

ტიპი: Transistor, TO-3, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Oval), Contact Finish - შეწყვილება: Silver, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
8060-1G9

8060-1G9

ნაწილი საფონდო: 4765

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
864-AG10D

864-AG10D

ნაწილი საფონდო: 4730

ტიპი: DIP, 0.3" (7.62mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 64 (2 x 32), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 25.0µin (0.63µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

სასურველი
822475-3

822475-3

ნაწილი საფონდო: 4652

ტიპი: PLCC, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 32 (2 x 7, 2 x 9), მოედანი - შეწყვილება: 0.050" (1.27mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 150.0µin (3.81µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Phosphor Bronze,

სასურველი
822475-2

822475-2

ნაწილი საფონდო: 4644

ტიპი: PLCC, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 32 (2 x 7, 2 x 9), მოედანი - შეწყვილება: 0.050" (1.27mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 150.0µin (3.81µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Phosphor Bronze,

სასურველი
824-AG31D

824-AG31D

ნაწილი საფონდო: 4634

ტიპი: DIP, 0.3" (7.62mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 24 (2 x 12), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 25.0µin (0.63µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

სასურველი
8-1437532-6

8-1437532-6

ნაწილი საფონდო: 4986

ტიპი: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 28 (2 x 14), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

სასურველი
822516-6

822516-6

ნაწილი საფონდო: 4430

ტიპი: PLCC, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 84 (4 x 21), მოედანი - შეწყვილება: 0.050" (1.27mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 100.0µin (2.54µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Phosphor Bronze,

სასურველი
822516-5

822516-5

ნაწილი საფონდო: 4469

ტიპი: PLCC, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 68 (4 x 17), მოედანი - შეწყვილება: 0.050" (1.27mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 100.0µin (2.54µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Phosphor Bronze,

სასურველი
822516-4

822516-4

ნაწილი საფონდო: 8514

ტიპი: PLCC, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 52 (4 x 13), მოედანი - შეწყვილება: 0.050" (1.27mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 100.0µin (2.54µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Phosphor Bronze,

სასურველი
822516-1

822516-1

ნაწილი საფონდო: 4451

ტიპი: PLCC, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 44 (4 x 11), მოედანი - შეწყვილება: 0.050" (1.27mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 100.0µin (2.54µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Phosphor Bronze,

სასურველი
822516-7

822516-7

ნაწილი საფონდო: 4403

ტიპი: PLCC, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 32 (2 x 7, 2 x 9), მოედანი - შეწყვილება: 0.050" (1.27mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 100.0µin (2.54µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Phosphor Bronze,

სასურველი
822516-2

822516-2

ნაწილი საფონდო: 4473

ტიპი: PLCC, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 28 (4 x 7), მოედანი - შეწყვილება: 0.050" (1.27mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 100.0µin (2.54µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Phosphor Bronze,

სასურველი
822516-3

822516-3

ნაწილი საფონდო: 4411

ტიპი: PLCC, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 20 (4 x 5), მოედანი - შეწყვილება: 0.050" (1.27mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 100.0µin (2.54µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Phosphor Bronze,

სასურველი
8080-1G25

8080-1G25

ნაწილი საფონდო: 3722

ტიპი: Transistor, TO-3, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Oval), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
8080-1G13

8080-1G13

ნაწილი საფონდო: 8374

ტიპი: Transistor, TO-3, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Oval), Contact Finish - შეწყვილება: Tin, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
824-AG32D

824-AG32D

ნაწილი საფონდო: 3651

ტიპი: DIP, 0.3" (7.62mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 24 (2 x 12), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin-Lead, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 80.0µin (2.03µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

სასურველი
8-1437532-2

8-1437532-2

ნაწილი საფონდო: 3696

ტიპი: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 40 (2 x 20), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm),

სასურველი