სოკეტების IC, ტრანზისტორებისთვის

8058-1G24

8058-1G24

ნაწილი საფონდო: 7218

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 4 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
828-AG10D

828-AG10D

ნაწილი საფონდო: 10097

ტიპი: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 28 (2 x 14), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 25.0µin (0.63µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

სასურველი
8059-2G1

8059-2G1

ნაწილი საფონდო: 8039

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

სასურველი
8058-1G29

8058-1G29

ნაწილი საფონდო: 7233

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
8058-1G59

8058-1G59

ნაწილი საფონდო: 7338

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
824-AG12D-LF

824-AG12D-LF

ნაწილი საფონდო: 14826

ტიპი: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 24 (2 x 12), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
824-AG12D

824-AG12D

ნაწილი საფონდო: 7269

ტიპი: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 24 (2 x 12), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin-Lead, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 80.0µin (2.03µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

სასურველი
8080-1G14

8080-1G14

ნაწილი საფონდო: 7902

ტიპი: Transistor, TO-3, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Oval), Contact Finish - შეწყვილება: Tin-Lead, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 200.0µin (5.08µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
8060-1G4

8060-1G4

ნაწილი საფონდო: 8754

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 4 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
8060-1G34

8060-1G34

ნაწილი საფონდო: 8148

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold,

სასურველი
822064-5

822064-5

ნაწილი საფონდო: 7905

ტიპი: QFP, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 132 (4 x 33), მოედანი - შეწყვილება: 0.025" (0.64mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin-Lead, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 200.0µin (5.08µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Phosphor Bronze,

სასურველი
832-AG10D

832-AG10D

ნაწილი საფონდო: 9482

ტიპი: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 32 (2 x 16), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 25.0µin (0.63µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

სასურველი
8059-2G2

8059-2G2

ნაწილი საფონდო: 8668

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

სასურველი
8060-1G13

8060-1G13

ნაწილი საფონდო: 9029

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
8060-1G7

8060-1G7

ნაწილი საფონდო: 8940

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
8058-1G23

8058-1G23

ნაწილი საფონდო: 10064

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
8-1437531-4

8-1437531-4

ნაწილი საფონდო: 9051

სასურველი
8060-1G25

8060-1G25

ნაწილი საფონდო: 9291

სასურველი
8080-1G45

8080-1G45

ნაწილი საფონდო: 6606

ტიპი: Transistor, TO-3, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Oval), Contact Finish - შეწყვილება: Tin, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
8060-1G3

8060-1G3

ნაწილი საფონდო: 9573

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
828-AG11D

828-AG11D

ნაწილი საფონდო: 11732

ტიპი: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 28 (2 x 14), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 25.0µin (0.63µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

სასურველი
818-AG11SM

818-AG11SM

ნაწილი საფონდო: 10094

ტიპი: DIP, 0.3" (7.62mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 18 (2 x 9), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

სასურველი
8080-1G16-LF

8080-1G16-LF

ნაწილი საფონდო: 6767

ტიპი: Transistor, TO-3, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Oval), Contact Finish - შეწყვილება: Silver, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
8059-2G3

8059-2G3

ნაწილი საფონდო: 10798

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 4 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
820-AG12D

820-AG12D

ნაწილი საფონდო: 10608

ტიპი: DIP, 0.3" (7.62mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 20 (2 x 10), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 25.0µin (0.63µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

სასურველი
8-1437532-3

8-1437532-3

ნაწილი საფონდო: 10681

ტიპი: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 40 (2 x 20), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin-Lead, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
864-AG11D-ESL

864-AG11D-ESL

ნაწილი საფონდო: 17257

ტიპი: DIP, 0.9" (22.86mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 64 (2 x 32), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: Flash, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

სასურველი
824-AG30D-ES

824-AG30D-ES

ნაწილი საფონდო: 18954

ტიპი: DIP, 0.3" (7.62mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 24 (2 x 12), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 25.0µin (0.63µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

სასურველი
824-AG32D-LF

824-AG32D-LF

ნაწილი საფონდო: 12735

ტიპი: DIP, 0.3" (7.62mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 24 (2 x 12), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
824-AG30D

824-AG30D

ნაწილი საფონდო: 10851

ტიპი: DIP, 0.3" (7.62mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 24 (2 x 12), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 25.0µin (0.63µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

სასურველი
848-AG11D

848-AG11D

ნაწილი საფონდო: 7200

ტიპი: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 48 (2 x 24), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 25.0µin (0.63µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

სასურველი
820-AG11D

820-AG11D

ნაწილი საფონდო: 12676

ტიპი: DIP, 0.3" (7.62mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 20 (2 x 10), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 25.0µin (0.63µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

სასურველი
824-AG66D

824-AG66D

ნაწილი საფონდო: 12685

ტიპი: DIP, 0.4" (10.16mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 24 (2 x 12), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 25.0µin (0.63µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

სასურველი
816-AG10D-ES

816-AG10D-ES

ნაწილი საფონდო: 14894

ტიპი: DIP, 0.3" (7.62mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 16 (2 x 8), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 25.0µin (0.63µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

სასურველი
824-AG11D

824-AG11D

ნაწილი საფონდო: 13151

ტიპი: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 24 (2 x 12), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 25.0µin (0.63µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

სასურველი
832-AG10D-ES

832-AG10D-ES

ნაწილი საფონდო: 14191

ტიპი: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 32 (2 x 16), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 25.0µin (0.63µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

სასურველი