სოკეტების IC, ტრანზისტორებისთვის

818-AG12D

ნაწილი საფონდო: 3651

ტიპი: DIP, 0.3" (7.62mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 18 (2 x 9), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin-Lead, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 80.0µin (2.03µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

8080-1G39

ნაწილი საფონდო: 3576

ტიპი: Transistor, TO-3, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Oval), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

8058-1G57

ნაწილი საფონდო: 3532

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 8 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

8058-1G34

ნაწილი საფონდო: 3201

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 10 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

8058-39G4

ნაწილი საფონდო: 3205

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 8 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

822499-1

ნაწილი საფონდო: 2931

ტიპი: PLCC, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 44 (4 x 11), მოედანი - შეწყვილება: 0.050" (1.27mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin-Lead, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Phosphor Bronze,

822472-7

ნაწილი საფონდო: 2978

ტიპი: PLCC, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 84 (4 x 21), მოედანი - შეწყვილება: 0.050" (1.27mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin-Lead, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Phosphor Bronze,

822473-3

ნაწილი საფონდო: 2904

ტიპი: PLCC, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 32 (2 x 7, 2 x 9), მოედანი - შეწყვილება: 0.050" (1.27mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin-Lead, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Phosphor Bronze,

8080-1G9

ნაწილი საფონდო: 4908

ტიპი: Transistor, TO-3, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 4 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

822473-4

ნაწილი საფონდო: 2778

ტიპი: PLCC, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 44 (4 x 11), მოედანი - შეწყვილება: 0.050" (1.27mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin-Lead, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Phosphor Bronze,

822114-3

ნაწილი საფონდო: 2711

ტიპი: QFP, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 144 (4 x 36), მოედანი - შეწყვილება: 0.050" (1.27mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin-Lead, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 200.0µin (5.08µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Phosphor Bronze,

822114-4

ნაწილი საფონდო: 2565

ტიპი: QFP, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 160 (4 x 40), მოედანი - შეწყვილება: 0.050" (1.27mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin-Lead, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 200.0µin (5.08µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Phosphor Bronze,

821949-4

ნაწილი საფონდო: 6261

ტიპი: QFP, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 100 (4 x 25), მოედანი - შეწყვილება: 0.050" (1.27mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin-Lead, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 200.0µin (5.08µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Phosphor Bronze,

8-1437504-6

ნაწილი საფონდო: 4944

ტიპი: Transistor, TO-3, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Oval), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 50.0µin (1.27µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

8060-1G5

ნაწილი საფონდო: 5162

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

8059-2G5

ნაწილი საფონდო: 5248

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 8 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

8060-1G12

ნაწილი საფონდო: 5783

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 4 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

8059-2G8

ნაწილი საფონდო: 5326

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 8 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

8058-24G1

ნაწილი საფონდო: 5420

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 10 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

8058-1G31

ნაწილი საფონდო: 5560

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 10 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

848-AG10D

ნაწილი საფონდო: 5579

ტიპი: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 48 (2 x 24), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 25.0µin (0.63µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

840-AG10D

ნაწილი საფონდო: 7945

ტიპი: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 40 (2 x 20), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 25.0µin (0.63µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

821949-5

ნაწილი საფონდო: 6418

ტიპი: QFP, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 132 (4 x 33), მოედანი - შეწყვილება: 0.050" (1.27mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin-Lead, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 200.0µin (5.08µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Phosphor Bronze,

836-AG11D

ნაწილი საფონდო: 5795

ტიპი: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 36 (2 x 18), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 25.0µin (0.63µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

8080-1G24

ნაწილი საფონდო: 8235

ტიპი: Transistor, TO-3, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Tin-Lead, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 20.0µin (0.51µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

8080-1G15

ნაწილი საფონდო: 5834

ტიპი: Transistor, TO-3, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Oval), Contact Finish - შეწყვილება: Tin-Lead, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 200.0µin (5.08µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

8080-1G1

ნაწილი საფონდო: 6500

ტიპი: Transistor, TO-3, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 4 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

828-AG12D

ნაწილი საფონდო: 9716

ტიპი: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 28 (2 x 14), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Tin-Lead, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

8060-1G11

ნაწილი საფონდო: 6752

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

8060-1G6

ნაწილი საფონდო: 6241

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 4 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

840-AG11D

ნაწილი საფონდო: 9058

ტიპი: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 40 (2 x 20), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 25.0µin (0.63µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Copper Alloy,

8080-1G17

ნაწილი საფონდო: 7704

ტიპი: Transistor, TO-3, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Oval), Contact Finish - შეწყვილება: Tin, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

8080-1G31

ნაწილი საფონდო: 6813

ტიპი: Transistor, TO-3, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Oval), Contact Finish - შეწყვილება: Tin, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

8-1437530-1

ნაწილი საფონდო: 6731

8058-1G32

ნაწილი საფონდო: 4618

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 8 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

8060-1G17

ნაწილი საფონდო: 5338

ტიპი: Transistor, TO-5, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Round), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,